研究課題/領域番号 |
21K18633
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研究機関 | 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構 |
研究代表者 |
坪山 透 大学共同利用機関法人高エネルギー加速器研究機構, その他部局等, シニアフェロー (80188622)
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研究期間 (年度) |
2021-07-09 – 2024-03-31
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キーワード | ピクセルセンサー / 素粒子実験 / MEMS技術 |
研究実績の概要 |
2022年度は本研究に使用するSOI pixel センサーの評価方法を確立した。このピクセルセンサー読み出し方式は、新しいコンセプトに基づくフルデジタル回路であるため、評価方法を決めること自身に期間がかかった。評価結果は良好で、日本物理学会で報告した。さらに、同ピクセルセンサーを薄化したチップを試験用パッケージへに実装し、評価を開始した。 最終評価は2023年度に行うが、そのために必要なフレキシブル回路のプロトタイプをリジッド基板で試作した。並行してフレキシブル基板の検討を外部の専門家と行い、設計を開始した。
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現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
2023年度の実装と評価に向け、ピクセルセンサー試験方法を確立することができた。試験的に薄化したセンサーの実装試験を行なった。また実験に用いるフレキシブル回路のプロトタイプ基板をリジッド基板で製造することができた。
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今後の研究の推進方策 |
リジッド基板で確認した評価用回路基板をフレキシブル基板で製造し、薄化したセンサーを実装する。最終的には円筒形に変形させた状態でのセンサー実装/性能評価を行う予定である。
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次年度使用額が生じた理由 |
本年度は既存ピクセルセンサーの評価方法を確立し、さらに次年度で製造するピクセルセンサーの構造やフレキシブル回路基板の設計に集中したため。 次年度はセンサーの薄化と、設計したフレキシブル回路の製造を行い、評価を行う。
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備考 |
(1) は開発グループの情報ページ (2)は過去の科研費で構築したページの流用です。
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