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本研究の目的は，ZnO系材料を用いた歪量子井戸構造による「明るい」長寿命励起子の実現である．従来報告の明るい励起子は光による制御性に優れるが，寿命が短い．一方，暗い励起子は長寿命だが光制御が難しい．本研究では，ZnO系材料からなる歪量子井戸で明るい励起子の寿命を延ばすことを目指した．その結果，長寿命な明るい励起子実現の鍵となる， サファイア基板上へのZnMgO/ZnO超高品質ヘテロ界面の形成を実現するとともに，ZnMgOの室温での励起子吸収ならびに発光を確認した．現在上記結果を基にZnO/ZnMgO歪量子井戸を形成し，量子ビットとしての機能発現の確認を行っている．
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