| 研究実績の概要 |
アモルファスIn-Ga-Zn-O(a-IGZO, イグゾー)に代表されるアモルファス酸化物半導体（AOS）は、室温プロセスで作製しても良好な半導体特性を得られることが知られている。応募者はこれまで、AOSのなかでもGa-Oのみの元素を使うと、バンドギャップが4 eVを超える超ワイドギャップの半導体を室温で作れることを明らかにしてきた。また最近の研究では、超ワイドギャップAOSを使った新規発光ダイオードの作製に成功している。本研究ではそのAOSダイオードの応用先を発展させる次のような研究に取り組んだ。まず反応性スパッタリング法により作製した超ワイドギャップAOSの基礎物性を評価した。つぎに耐圧の高いAOSダイオードを作製することに成功した。最終的に高耐圧AOSダイオードを作成し、高バイアス印加時の光応答を調査した。単色光を使った実験により量子効率を求め、100%を超える量子効率の確認を行い、そのメカニズムとさらなる巨大応答を得るための作成条件を議論した。
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