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アモルファスIn-Ga-Zn-O(a-IGZO)に代表されるアモルファス酸化物半導体（AOS）は、室温プロセスで作製しても良好な半導体特性を得られることが知られている。応募者はこれまで、AOSのなかでもa-Ga-Oの元素を使うと、バンドギャップが4 eVを超える超ワイドギャップの半導体を室温で作れることを明らかにしてきた。また最近の研究では、超ワイドギャップAOSを使った新規発光ダイオードの作製に成功している。本研究ではそのa-GaOダイオードを発展させ、高耐圧ダイオードの作製を行い、光応答特性を評価した。-20Vを超える耐圧のAOS基のダイオードを実現し、100を超える量子効率を観測した。
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