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超短パルス強レーザー場におけるキラル分子のレーザートンネル電子円2色性(PECD)の観測に向けて，実験室系および分子座標系におけるトンネル電子の3次元運動量分布を計測を実現する電子ーイオンコインシデンス運動量計測系および高繰り返しレーザーシステムの整備を進めた。特に，精密な円2色性計測のために設計・製作した差動排気分子ビーム源を用い，キラル分子の一つであるD-リモネンについて強レーザー場トンネル電子のPECD計測を行った。また電子ーイオンコインシデンス計測によって反跳座標系における光電子角度分布（RFPAD) 計測を実施した。強レーザー場におけるCF4分子の解離性トンネルイオン化過程CF4-> CF3+ + F + e-，において，CF3+イオンの運動量をもとに定義した反跳座標系における光電子角度分布(RFPAD) は，主にCF4分子のHOMOを反映した形状を示すことが見出された。またRFPADの形状は明確な円偏光回転方向（ヘリシティ）依存性を示すことも明らかになった。ヘリシティ依存性は同様の構造を持つCCl4分子についても見出され，強レーザー場における解離性イオン化における非キラル分子の分子座標系光電子分布円2色性が示された。また，イオン化軌道を選別したPECD測定に向けて，補助解離パルスを援用したRFPAD計測法の開発を進め，いくつかの分子についてその有用性を明らかにした。また長波長赤外領域のフェムト秒超短レーザーパルスを用いた研究から，より深いトンネルイオン化条件での強レーザー場分子イオン化ダイナミクスの理解を進めた。
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