研究課題
先に我々は3個の六員環が互いに縮合し、その中心にケイ素を有するヘキサヒドロシラフェナレンの合成法を確立した。本研究ではこの化合物のフェニル置換体(以下。化合物1)を原料とし、反芳香族性を有するフェニルシラフェナレン(phenyl-9bH-9b-silaphenalene; 以下、2)の合成を達成した。即ち、化合物1のアリル位メチレンの酸化を二酸化セレンにより行った。得られたアリルアルコールを硫酸触媒を用いた脱水により、フェニルテトラヒドロシラフェナレンへ誘導した。この化合物はDDQにより酸化され、目的物である2が高収率で得られた。重ベンゼン中のNMRにおける2の周辺12員環部の水素は通常よりも高磁場シフトし、δ4.82および4.97に吸収を与えた。またケイ素上のフェニル基のオルト位水素は低磁場シフトしδ8.88に吸収を与えた。この結果は周辺12員環部に反芳香族性に起因する常磁性環電流が存在していることを示している。また、ヘキサヒドロシラフェナレンの合成法をケイ素と同族のゲルマニウムおよびスズに応用し、それぞれ対応するヘキサヒドロゲルマフェナレンおよびヘキサヒドロスタンナフェナレンの合成に成功した。さらに、15族元素であるリンを中心にもつヘキサヒドロホスファフェナレンの合成も達成し、そのオキシド、チオキシド、セレノキシドへの誘導も行った。これらの化合物から誘導される中性のヘテロフェナレンやヘテロフェナレニウムあるいはヘテロフェナレニルアニオンの芳香族性については理論的に興味深いため、中心原子としてB、C、N、O,Al、Si、およびPについてNICS計算を行った。その結果、中心原子が空軌道をもつ場合の芳香族性は電気陰性度の上昇とともに芳香族性が強くなり、中心原子が孤立電子対をもつ場合は逆の傾向があることがわかった。これは中心原子と周辺環部の電子授受の結果であるとして理解出来る。
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