ゼーベック効果の考え方をイオン熱電効果にもち込むアナロジーの達成を学術的意義ととらえている。半導体のゼーベック効果が大きい理由は、バンドギャップの存在により高温側と低温側の間に熱励起キャリアの濃度差がつく点である。本研究ではこの点に着目し、バンドギャップに相当するものとして、イオンのキャッチ&リリースポテンシャルの導入を実現した。アナロジーを導入により、高分子系ならではの転移現象を導入した系のデザインを実現することが本研究の挑戦的な意義である。熱電技術をキャパシター等エネルギーデバイスに適用することは社会的な意義であり、転移の仕組みを組み込んだ多彩なデザインは大きな波及効果を生む可能性がある。
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