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半導体への光照射で生成される不安定な「励起子」は現代の量子デバイスの動作の根本を担う極めて重要な粒子である。 本研究課題の目的は、近年発見された「励起子絶縁体」と呼ばれる物質において発現する永続的な励起子(自発的励起子)の生成メカニズムを解明することである。
本課題においては、これら自発的励起子の生成・消滅の境界線近傍における励起子絶縁体の振る舞いを観測することにより、自発的励起子の生成はある特定の物質環境において段階的に生成され、その過程において、励起子のサイズ・粒子の束縛力に顕著な変化が現れることを突き止めた。
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