研究成果発表報告書

相変化材料と酸化物の積層MIS接合を用いた大容量・低消費電力不揮発性メモリの実現

研究課題

研究課題/領域番号	21K20509
研究種目	研究活動スタート支援
配分区分	基金
審査区分	0402:ナノマイクロ科学、応用物理物性、応用物理工学およびその関連分野
研究機関	国立研究開発法人産業技術総合研究所
研究代表者	畑山祥吾国立研究開発法人産業技術総合研究所, エレクトロニクス・製造領域, 産総研特別研究員 (50910501)
研究期間 (年度)	2021-08-30 – 2023-03-31