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本研究では、次世代の超高密度3次元積層デバイス具現化のための重要な製造技術の一つとなるハイブリッドボンディング技術を見据えて、絶縁性接合界面の形成を可能とする半導体ウエハ同士の低温接合技術の開発を推進する。初年度となる本年度は、まず国内で本プロジェクトの渡航先研究機関であるベルギーのInteruniversity Microelectronics Centre (IMEC)／Katholieke Universiteit Leuven (KUL)の研究者から半導体接合及びその関連周辺技術に関する知見のご提供と渡航後スムーズな研究推進ができるように利用設備群等の整備に関する打ち合わせをWEB会議及びメールにより行った。具体的には、半導体ウエハ上への薄膜成膜プロセスや低温接合を可能とする活性化プロセスについての知見をご提供いただくとともに、平滑なハイブリッド面を形成するための化学機械研磨(CMP)法についても諸条件の議論を行った。また、ウエハ接合体の接合強度の評価手法として有力な手法の一つとなるブレード試験法に関して、試験雰囲気（ブレード挿入時の雰囲気）制御の重要性について議論を行った。加えて、ハイブリッドボンディング及び関連周辺技術の最新動向や文献調査による先行研究の整理等の予備的な検討も行った。これらを通じ、プロジェクトスタートの見込みがあらかた立ったため、次年度のベルギーへの渡航計画を進めた。
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