| 研究課題/領域番号 |
22000010
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| 研究種目 |
特別推進研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 審査区分 |
理工系
工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
大見 忠弘 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 名誉教授 (20016463)
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| 研究分担者 |
平山 昌樹 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (70250701)
後藤 哲也 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (00359556)
諏訪 智之 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 (70431541)
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-21 – 2015-03-31
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| キーワード | シリコン / MOSFET / LSI / 半導体製造プロセス / 半導体製造装置 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、任意のシリコン表面を原子スケールで平坦化するシリコン表面平坦化技術の開発に成功し、MOSデバイスの信頼性を劇的に向上させた。本技術により、ゲート絶縁膜とシリコンの界面が原子オーダで平坦になされた3次元立体構造MOSトランジスタ製造への道が拓けた。本研究の成果は、シリコン結晶の有する全性能を駆使した、超低消費電力・超高速動作CMOSシリコンLSIの創出に大きく貢献するものである。
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| 自由記述の分野 |
電気電子工学、電子・電気材料工学
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