研究課題
シリコン超超大規模集積化回路の持続的発展に向けたCMOSの電流駆動力向上に必須となる、高移動度チャネル技術創成のためのひずみゲルマニウム系新規材料開発およびその電子物性設計指針の構築を目指してる。本年度は、主に下記のような研究成果を得た。(1)SiおよびGe基板上におけるGe_<1-x>Sn_x層の結晶成長を検証し、成長および熱処理中における歪緩和過程を解明するとともに、9.2%の高Sn組成Ge_<1-x>Sn_xエピタキシャル層の形成を実現した。(2)Pr酸化膜/酸窒化Ge/Ge構造の界面化学結合状態および反応過程を詳細に調べた。急速酸化処理によって、立方晶Pr_2O_3中の酸素空孔や欠陥が終端される結果、リーク電流を効果的に抑制できることが明らかにな6た。(3)ソース・ドレインストレッサとしてのp型ドープGe_<1-x>Sn_x層の形成を検証した。Ga in-situドーピングによって、Sn析出がなく、歪も維持したままでSn組成3.5%、2×10^<19>cm^3の高GaドープGe_<1-x>Sn_x層の形成を実証した。(4)収束電子回折法で得られるHOLZ線図形およびナノビーム電子回折図形を用いた高精度歪み解析法を開発し、半導体多層膜試料の界面近傍数10nm領域の歪みの評価が可能となった。また、収束電子回折図形にみられるロッキングカーブプロファイルから歪み場再生する手法の開発を行い、積層欠陥のような不連続な変位場を含む解析を実現した。(5)Al_2O_3堆積後にECRプラズマ酸化をすることで良好なAl_2O_3/GeO_2/Ge MOS界面の形成に成功した。また、本プロセス適用後、Ge基板のSiO_2/Si基板への貼合せによりGe-on-Insulator基板の貼合せ界面の特性向上に成功した。
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http://alice.xtal.nagoya-u.ac.jp/nano_cmos/index.html
