• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2013 年度 実績報告書

量子ドットスピンレーザー

研究課題

研究課題/領域番号 22221007
研究機関北海道大学

研究代表者

村山 明宏  北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (00333906)

研究分担者 末岡 和久  北海道大学, 情報科学研究科, 教授 (60250479)
研究期間 (年度) 2010-05-31 – 2015-03-31
キーワードナノ構造作製 / 量子ドット / ナノ光デバイス / スピンデバイス / ナノ表面・界面
研究概要

電子スピン情報の光伝送を目指して、レーザー光発振中に電子スピン状態を維持することが可能な半導体量子ドットを活性領域とする「量子ドットスピンレーザー」を研究する。主な研究目的としては、量子ドットに対して室温動作可能な金属強磁性体ナノ構造による電子スピン電極を作製し、注入時のスピン緩和を十分抑制することが可能な金属磁性体と半導体の原子層制御界面の実現と、超高速の準共鳴電子スピントンネルを利用して、磁性体スピン電極から半導体量子ドットにスピン偏極電子を高効率に注入することである。
平成25年度は前年度に引き続き、半導体量子ドット層と金属強磁性体の原子層制御エピタキシャル成長に関する研究を複合型超高真空エピタキシーシステムにより行った。前年度に得られたショットキーバリアによる電流スピン注入に対して、平成25年度は、InGaAs量子ドットと積層したAlGaAsバリア層表面においてMgO酸化物トンネルバリアとFe強磁性体スピン電極層の単結晶エピタキシャル成長を実現した。そして、この酸化物トンネル注入型電子スピン電極構造を用いた量子ドット発光ダイオード素子を作製し、電流注入発光の円偏光特性より250Kまでの温度領域において電子スピン注入を確認した。また、詳細な注入電流依存性や磁場依存性などの測定により、Fe強磁性スピン電極層内で生成された電子スピン分極の10 %に相当する電子スピンが量子ドットに輸送・注入されていることがわかった。
さらに、半導体量子ドットに対して、トンネル効果を利用した高効率電子スピン注入プロセスの検討を行い、InGaAs量子井戸からなる二次元電子系から次元性の異なるInGaAs量子ドットに対して、GaAsトンネルバリアを介したスピン損失がほとんど認められない10 psの時定数を持つ超高速電子スピントンネル注入を実現した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

平成25年度は、前年度に実現したFe/AlGaAsショットキーバリアによる電子スピン注入型電極構造を持つ量子ドットスピン発光ダイオード素子の電流スピン注入特性を改善するため、3 nmの膜厚を持つMgO酸化物トンネルバリアを用いたFe強磁性電極層の単結晶エピタキシャル成長を行った。そして、このMgOトンネルバリアを利用したFeスピン電極構造を持つ量子ドットスピン発光ダイオード素子を作製し電流スピン注入を実現した。この場合の電流注入発光における円偏光度から得られた注入スピン分極率は、ショットキーバリアによるスピン注入特性と比較して良好であった。また、活性層として量子ドットの替わりにInGaAs量子井戸を用いた場合にはさらに高い注入スピン分極率が観測されていることから、量子ドットへのスピン注入におけるスピン損失要因として、活性層の量子構造によらないFe/MgO/AlGaAsスピン電極界面におけるスピン緩和と、半導体層への輸送後に量子ドットへと注入される際に生じるスピン緩和の影響を各々定量的に見積もることができた。すなわち、注入時のスピン損失が少ない量子ドットへの高効率電流スピン注入実現に向けた重要な指針が得られた。
また、平成25年度に実現した、二次元電子系から次元性の異なる量子ドットへのスピン損失が非常に少なく高効率かつ10 ps前後の超高速共鳴スピントンネル現象に対して、詳細なトンネルバリア厚依存性の測定と電子波動関数の計算結果との比較を行った。その結果、量子井戸中のポテンシャル揺らぎに起因する二次元電子系波動関数の局在化が、ゼロ次元量子ドット中の波動関数との高い結合を実現する上で重要な役割を果たすことが結論された。すなわち、量子ドットへの超高速スピントンネルに対して有効な物理的描像を明らかにすることができた。

今後の研究の推進方策

酸化物トンネルバリアの作製については、MgO酸化膜のエピタキシャル成長条件の最適化を行うとともに、Feと格子整合の良い他の酸化物材料の検討を進めていく。そして、作製したFe/酸化膜/AlGaAsトンネルバリア構造界面における原子オーダーの構造解析を進め、電子スピン注入時のスピン損失との関係を明らかにしていく。さらに、スピン電極材料としては、FeやCoFe系強磁性薄膜に加えて、高スピン偏極電子注入が可能と期待されるFe3O4薄膜の利用も検討していく。
そして、様々な酸化物系トンネルバリアやFe系強磁性合金を組み合わせた新しいスピン電極構造を持つスピン注入型量子ドット発光ダイオード素子の作製を迅速に行い、電流発光の円偏光特性の測定より量子ドットへと注入される電子スピン分極率の定量的測定を行うとともに、高いスピン注入効率が得られるスピン電極構造を確立していく。
また、半導体二次元電子系から量子ドットへの超高速共鳴スピントンネル効果については、スピントンネル時のスピン分極率や注入速度に対する注入スピン密度依存性の詳細を研究し、量子ドットにおける離散的状態密度により生じるスピンのパウリブロッキング現象が注入時のスピン分極率やスピン注入ダイナミクスに与える影響について明らかにしていく。さらに、このスピントンネル効果に対して、次元性の異なる電子系の共鳴現象の寄与をより詳細に明らかにするため、ポテンシャルを外部から精密に制御できる電界印加型素子構造を作製していく。
以上の進捗を踏まえながら、今まで得た知見を元にして、量子ドットへの高い電子スピン注入効率特性を持つ量子ドットスピンレーザー素子構造を設計し実際に作製していく。

  • 研究成果

    (29件)

すべて 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 (5件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (24件) (うち招待講演 3件)

  • [雑誌論文] Ultrafast spin tunneling and injection in coupled nanostructures of InGaAs quantum dots and quantum well2014

    • 著者名/発表者名
      Xiaojie Yang
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 104 ページ: 012406:1-4

    • DOI

      10.1063/1.4861387

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Scanning Tunneling Microscopy Study of an Altered Fe3O4(001) Thin Films Surface by Hydrogen Adsorption2014

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Hiura
    • 雑誌名

      e-Journal of Surface Science and Nanotechnology

      巻: 12 ページ: 26-33

    • DOI

      10.1380/ejssnt.2014.26

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature dependence of the dynamics of optical spin injection in self-assembled InGaAs quantum dots2013

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Kiba
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 103 ページ: 082405:1-5

    • DOI

      10.1063/1.4819208

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Temperature dependence of time-resolved photoluminescence in closely packed alignment of Si nanodisks with SiC barriers2013

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Kiba
    • 雑誌名

      Nanoscale Research Leters

      巻: 8 ページ: 223:1-7

    • DOI

      10.1186/1556-276X-8-223

    • 査読あり
  • [雑誌論文] 半導体量子ドットの電子スピンダイナミクス2013

    • 著者名/発表者名
      村山明宏
    • 雑誌名

      光アライアンス

      巻: 24 ページ: 12-16

  • [学会発表] 半導体自己組織化量子ドットへのトンネル効果によるスピン注入; 励起スピン密度依存性

    • 著者名/発表者名
      村山明宏
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県)
  • [学会発表] Fe3O4(001)薄膜表面における吸着水素により誘起された鉄イオン還元

    • 著者名/発表者名
      樋浦諭志
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県)
  • [学会発表] 高均一GaAs量子ナノディスクにおけるピコ秒キャリアダイナミクス

    • 著者名/発表者名
      木場隆之
    • 学会等名
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      青山学院大学(神奈川県)
  • [学会発表] 吸着水素により誘起されたFe3O4(001)表面の局所電子状態測定

    • 著者名/発表者名
      樋浦諭志
    • 学会等名
      平成25年度日本表面科学会東北・北海道支部学術講演会
    • 発表場所
      仙台市(宮城県)
  • [学会発表] Dynamics pf photo-excited carriers in III-V semiconductor nanostructures

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Murayama
    • 学会等名
      Seoul National University and Hokkaido University 2013 International Workshop on New Frontiers in Convergence Science and Technology
    • 発表場所
      Seoul National University (Suwon, Korea)
    • 招待講演
  • [学会発表] Optically probed electron-spin relaxation in GaAs nanostructures

    • 著者名/発表者名
      Toru Tanaka
    • 学会等名
      Seoul National University and Hokkaido University 2013 International Workshop on New Frontiers in Convergence Science and Technology
    • 発表場所
      Seoul National University (Suwon, Korea)
  • [学会発表] Properties of Antiphase Domains in Fe3O4(001) Thin Films

    • 著者名/発表者名
      Akira Ikeuchi
    • 学会等名
      ACSIN-12 & ICSPM21 (12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy)
    • 発表場所
      つくば市(茨城県)
  • [学会発表] Electronic Properties of a Modified Fe3O4(001) Films Surface

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Hiura
    • 学会等名
      ACSIN-12 & ICSPM21 (12th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures in conjunction with 21st International Colloquium on Scanning Probe Microscopy)
    • 発表場所
      つくば市(茨城県)
  • [学会発表] Dynamics of photo-excited carriers and the spin states in III-V semiconductor nanostructures; application to quantum-dot lasing

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Murayama
    • 学会等名
      3rd Annual World Congress of Nano Science and Technology 2013
    • 発表場所
      Xi'an International Conference Center (Xi'an, China)
    • 招待講演
  • [学会発表] Electron-spin dynamics in GaAs quantum wells coupled with II-VI diluted magnetic semiconductors

    • 著者名/発表者名
      Akihiro Murayama
    • 学会等名
      NSF Workshop on US-Japan Frontiers in Novel Photonic-Magnetic Devices
    • 発表場所
      Kasugano-so (Nara, Japan)
    • 招待講演
  • [学会発表] Surface Electronic Properties on Magnetite Films on MgO(100)

    • 著者名/発表者名
      Akira Ikeuchi
    • 学会等名
      IVC-19 and ICN+T 2013 (International Conference on Nanoscience and Nanotechnology)
    • 発表場所
      Paris (France)
  • [学会発表] STM/STS studies of a modified magnetite thin films surface on MgO (001) substrate

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Hiura
    • 学会等名
      IVC-19 and ICN+T 2013 (International Conference on Nanoscience and Nanotechnology)
    • 発表場所
      Paris (France)
  • [学会発表] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクの反射ポンププローブ分光

    • 著者名/発表者名
      田中亨
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
  • [学会発表] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクにおける光学利得

    • 著者名/発表者名
      須崎健太
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
  • [学会発表] バイオテンプレート極限加工GaAs量子ナノディスクにおける光励起キャリアダイナミクス

    • 著者名/発表者名
      木場隆之
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
  • [学会発表] Dynamics of spin-tunneling and -injection in coupled quantum dots of InGaAs with a quantum well

    • 著者名/発表者名
      Xiaojie Yang
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
  • [学会発表] Fe 電極を用いた量子ドット発光ダイオードのEL 特性

    • 著者名/発表者名
      佐々木裕也
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
  • [学会発表] InGaAs自己組織化量子ドットにおける光スピン注入ダイナミクスの成長温度依存性

    • 著者名/発表者名
      山村隆文
    • 学会等名
      第74回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      同志社大学(京都府)
  • [学会発表] Dynamics of exciton-spin relaxation in GaAs nanodisks fabricated by fully-top-down and damage-free lithography

    • 著者名/発表者名
      Takayuki Kiba
    • 学会等名
      18th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids
    • 発表場所
      Fuzhou Lakeside Hotel (Fuzhou, China)
  • [学会発表] Optical spin-injection dynamics at excited states in In0.5Ga0.5As quantum dots coupled with an In0.1Ga0.9As quantum well

    • 著者名/発表者名
      Xiaojie Yang
    • 学会等名
      18th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids
    • 発表場所
      Fuzhou Lakeside Hotel (Fuzhou, China)
  • [学会発表] Electroluminescence from excited states in InGaAs self-assembled quantum dots

    • 著者名/発表者名
      Yuya Sasaki
    • 学会等名
      18th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids
    • 発表場所
      Fuzhou Lakeside Hotel (Fuzhou, China)
  • [学会発表] Observation of optical gain in GaAs quantum disks fabricated by neutral-beam etching using bio-nano templates

    • 著者名/発表者名
      Kenta Suzaki
    • 学会等名
      18th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids
    • 発表場所
      Fuzhou Lakeside Hotel (Fuzhou, China)
  • [学会発表] Transient Kerr effects in GaAs quantum disks fabricated by neutral-beam etching using bio-nano templates

    • 著者名/発表者名
      Toru Tanaka
    • 学会等名
      18th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids
    • 発表場所
      Fuzhou Lakeside Hotel (Fuzhou, China)
  • [学会発表] Dynamics of optical spin injection in InGaAs self-assembled quantum dots with various growth conditions

    • 著者名/発表者名
      Takafumi Yamamura
    • 学会等名
      18th International Conference on Dynamical Processes in Excited States of Solids
    • 発表場所
      Fuzhou Lakeside Hotel (Fuzhou, China)

URL: 

公開日: 2015-05-28  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi