研究課題
基盤研究(S)
平成22年度において、焼結ダイヤモンドアンビル70個の購入の他、スパッタリング装置と高性能計算機の導入を行い、次年度以降の研究体制を整えた。スパッタリング装置では、電極・絶縁層・試料の薄膜小型化を行っていき今後のセルの小型化に対処していく。本技術の活用により、これまでセルの小型化の障害となっていた熱電対やヒーターを極限(μmレベル)まで小型薄膜化が実現できると予想している。高性能計算機では、性能チェックの意味で3次元空孔体の解析を試み、従来使用していた計算機では不可能な巨大モデルの解析が楽々とこなせることを確認した。今後は弾塑性変形解析による圧力シミュレーションを目指すことになる。本研究計画の根幹をなす焼結ダイヤモンドアンビルでは、より高い温度の発生を目指して半導体ダイヤモンドヒーターの開発を始めたところである。カーボンに対してボロンをドープする方法を複数模索中である。スパッタリング装置を使う方法も検討している。かねてより大迫・米田で実施してきた高圧下の熱物性測定においては、従来のセルを半分にスケールダウンしマントル遷移層での条件の実験を開始した。D"層条件での熱物性測定実現に向けてのスタートである。差応力下での部分熔融岩石の電気伝導度の絶対値の異方性を評価するために、マルチアンビル装置を用いた静水圧下での電気伝導度測定を行った。また、レオロジーを目的とした研究では、より広い温度圧力領域で安定して行うための実技術開発を行い、今後は、拡散クリープの場合でのポストペロフスカイトの粘性率の見積もり等の実験を志向する。
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