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2011 年度 実績報告書

高性能大面積X線エネルギー識別画像検出器の開発

研究課題

研究課題/領域番号 22240062
研究機関名古屋工業大学

研究代表者

安田 和人  名古屋工業大学, 大学院・工学研究科, 教授 (60182333)

研究分担者 MADAN Niraula  名古屋工業大学, 工学研究科, 准教授 (20345945)
キーワード放射線・X線 / 医療診断 / 電子デバイス / 結晶成長 / エピタキシャル成長
研究概要

有機金属気相成長法によりSi基板上に成長した単結晶CdTe厚膜層を用いた、p-like CdTe/n-CdTe/n^+-Si構造のヘテロ接合型ダイオード検出器について、前年度の検討に引き続き1.検出器性能の改善と、2.この検出器による8×8の2次元アレイ型画像検出器の検出特性向上を検討した。
1.に関しては前年度に引き続き検出器暗電流の低減を検討した。具体的にはSi基板とCdTe層との格子不整合に起因するn-CdTe層中の転位密度の低減と、検出素子製作条件の改善を検討した。その結果暗電流の低減により検出器に200V以上の高いバイアス電圧を印加可能となった。またアレイ上の個別検出素子の暗電流分布を詳細に検討した結果、暗電流の主要原因である活性化エネルギー約0.6eVの深い準位の密度は、CdTe層成長表面での原料TeとCdの比率に依存すること。またアレイ上の検出素子値暗電流を低減すると共に、暗電流特性の均一性を確保するとためには、成長表面におけるTe/Cd比率の精密制御と均一化が必要であることがわかった。今後はこの知見を基に検出器アレイ暗電流特性の均一化とさらなる暗電流の低減を目指す。
2.に関しては前年度に開発したアレイ製作技術と検出器実装技術をさらに洗練し、検出器アレイの製作とその特性向上を検討した。その結果、本研究の最重要課題である、8x8検出器アレイによる入射X線光子エネルギー識別画像の検出に世界に先駆け成功し、本方法によるSi基板上のCdTe層によって検出器アレイを実現できることを実証した。今後はさらに検出特性の高性能化(検出感度の高感度化、エネルギー分解能の向上)をはかる。
また、今後は製作した検出器アレイの特性評価を通じて、大面積高集積の検出器アレイに適合する信号読みだし処理回路の設計データを収得する。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本年度の検討により、本研究の最重要課題である8x8検出器アレイによる入射X線光子エネルギー識別画像の検出に世界に先駆け成功し、本方法によるSi基板上のCdTe層によって検出器アレイを実現できることを実証したため。

今後の研究の推進方策

これまでの研究を基礎として、検出特性の飛躍的向上が期待できるCdTe-APD実現に向けた研究を開始する。また当初、本研究は研究成果の利用分野として主として医療診断や検査への応用を想定していたが、今後は原発事故による環境汚染対策や、生活必要物質の安全管理や検査、事故収束に向けた作業環境の安全確保や保安管理等の分野における利用も想定して開発を進めたい。.

  • 研究成果

    (9件)

すべて 2011 その他

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (4件) 備考 (1件) 産業財産権 (1件)

  • [雑誌論文] MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線検出アレイの開発2011

    • 著者名/発表者名
      舘忠裕、安田和人、ニラウラマダン
    • 雑誌名

      電子情報通信学会技報

      巻: ED2011-26 ページ: 131-134

  • [雑誌論文] Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al
    • 雑誌名

      18th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors(RTSD) (2011, Valencia, Spain)

      巻: (CD-ROM) ページ: R05-1

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dark-current characteristics of radiation`detector arrays developed using MOVPE grown thick CdTe layers on Si substartes2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al
    • 雑誌名

      Ext.Abstracts, 2011 US Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials (2011, Chicago)

      ページ: 163-166

    • 査読あり
  • [学会発表] Development of Spectroscopic Imaging Arrays Using Epitaxially Grown Thick Single Crystal CdTe Layers on Si Substrate2011

    • 著者名/発表者名
      M.Niraula, K.Yasuda, et al
    • 学会等名
      IEEE 18th International Workshop on the Room Temperature Semiconductor Detectors
    • 発表場所
      Valencia, Spain(Invited)
    • 年月日
      2011-10-25
  • [学会発表] Dark-current characteristics of radiation detector arrays developed using MOVPE grown thick CdTe layers on Si substartes2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al
    • 学会等名
      2011 us Workshop on the Phys.Chem.II-VI Materials
    • 発表場所
      Chicago, USA
    • 年月日
      2011-10-04
  • [学会発表] Fabrication of radiation imaging detector arrays using MOVPE grown thick single crystal CdTe layers on Si substrates2011

    • 著者名/発表者名
      K.Yasuda, M.Niraula, et al
    • 学会等名
      15-th International Conference on II-VI Compounds
    • 発表場所
      Mayan Riviera, Mexico
    • 年月日
      2011-08-23
  • [学会発表] MOVPE法によるSi基板上のCdTe厚膜層を用いた放射線検出アレイの開発2011

    • 著者名/発表者名
      舘忠裕、犬塚博章、安田和人, 他
    • 学会等名
      電子情報通信学会電子デバイス研究会
    • 発表場所
      名古屋大学
    • 年月日
      2011-05-20
  • [備考]

    • URL

      http://yasuda.web.nitech.ac.jp/

  • [産業財産権] 放射線検出器の製造方法2011

    • 発明者名
      安田和人, ニラウラマダン
    • 権利者名
      名古屋工業大学
    • 産業財産権番号
      特願2011-109374
    • 出願年月日
      2011-05-16

URL: 

公開日: 2013-06-26  

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