| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
1: 当初の計画以上に進展している
理由
当初の計画順に並べると、1) 電子および核スピンデコヒーレンスの機構解明と抑制方法の開発は終了し、数本の学術論文にまとめ、複数回の国際会議で招待講演を行った。2) 電子・核スピンの高純度エンタングルメント生成は論文にまとめ、複数回の国際会議の招待講演でも発表した。3) スピン集合体に位相情報を読み込ませる量子ホログラフィックメモリーの開発も論文にまとめた。4) 超伝導量子ビットとシリコン量子ビット間のエンタングルメント生成に関する実験を行うことに関しては、シリコン中のビスマス(Bi)不純物が量子ビットして超伝導量子ビットとのエンタングルメントに適することを見出だし論文にまとめた。5) さらに当初計画にはない、シリコン中の29Si核スピンメモリー動作の実証"Coherent storage of photoexcited triplet states using 29Si nuclear spins in silicon," Phys. Rev. Lett. 108, 097601 (2012)、量子情報処理を意識したシリコン中の様々なスピン三重項状態の評価"Optical properties of triplet states of excitons bound to interstitial-carbon interstitial-oxygen defects in silicon," Phys. Rev. B 84, 115204 (2011), "Electrical detection of cross relaxation between electron spins of phosphorus and oxygen-vacancy centers in silicon," Phys. Rev. B 84, 045204 (2011)などの多くの成果を得た。
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