• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2011 年度 実績報告書

ナノ表面・界面制御による超薄型シリコン太陽電池の高効率化に関する研究

研究課題

研究課題/領域番号 22246001
研究機関東京工業大学

研究代表者

小長井 誠  東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40111653)

キーワード太陽電池 / 太陽光発電 / ヘテロ接合 / シリコン太陽電池
研究概要

太陽光発電の本格普及期である2020年において圧倒的な技術優位を築くため、シリコン薄膜太陽電池技術と、バルクシリコン太陽電池技術を融合化して、最先端の超薄型高効率シリコン太陽電池研究を先導することを目的としている。具体的には、申請者が世界で初めて実現した低温成長微結晶3C-SiCを用いた新型ヘテロ接合Si太陽電池を用いて、厚さ75-100μmのCZ Siウェハで23%以上の高効率を得ることを目標としている。目標を達成するため、(1)ヘテロ・ナノ界面制御による接合特性の改善技術の開発、(2)新規パッシベーション膜の開発、(3)超薄型シリコンヘテロ接合太陽電池のデバイス物理、の三つのサブテーマで研究を実施している。
平成23年度は、まずn型の微結晶3C-SiCを用いたヘテロ接合太陽電池の高効率化を検討した。特に、微結晶3C-SiCとSi基板の界面に挿入するa-SiCバッファ層の製膜条件がセル特性に大きく影響していることが分かり、最適化の結果、n-3C-SiC/p-Siヘテロ接合で開放電圧0.710V、変換効率19.2%を達成した。このセルでは、3C-SiCの禁制帯幅が2.2eVとワイドギャップであるため、短波長の収集効率が非常に高いという特質を実証することができた。一方、p型の微結晶3C-SiCを用いたp-3C-SiC/n-Siヘテロ接合についても改善を試みているが、未だ十分な界面特性を得るには至っていないが、変換効率17.0%まで向上させることに成功した。
この他、新しいヘテロ接合構造としてSiOを用いたセル開発も進めており、これまでにp型微結晶Si/i-a-SiO/n-Si/i-a-SiO/n-a-Si構造により、開放電圧0.717V、変換効率20.3%を達成した。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

ヘテロ界面に挿入するバッファ層を、キャリアライフタイム測定の結果をもとに最適化し、開放電圧が0.71Vを超す、極めて有望な結果が得られた。nc-3C-SiCを用いたヘテロ接合太陽電池で当これほど高い開放電圧を報告した例は他にはなく、本研究のオリジナリティーと、その有効性が実証された。

今後の研究の推進方策

現状の変換効率は、20.3%となっているが、変換効率23%を目指すには、短絡電流の大幅な向上が必要である。現在、Si基板として、表面がフラソトなウェハを用いているため、反射損が大きくなっている。今後は、反射損を減少させるため、アルカリエソチングした凹凸基板を使っていく計画である。ただ、凹凸基板では、結晶方位の異なる複数の面が露出しているため、これまで以上に精密な界面制御が必要である。

  • 研究成果

    (13件)

すべて 2011 その他

すべて 雑誌論文 (3件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (9件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Improvement of Rear Surface Passivation Quality in p-Type Silicon Heterojunction Solar Cells Using Boron-Doped Microcrystalline Silicon Oxide2011

    • 著者名/発表者名
      Suttirat Rattanapan, Tatsuro Watahiki, Shinsuke Miyajima, Makoto Konagai
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 50 ページ: 082301-1-082301-4

  • [雑誌論文] Effects of Annealing and Atomic Hydrogen Treatment on Aluminum Oxide Passivation Layers for Crystalline Silicon Solar Cells2011

    • 著者名/発表者名
      Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Shuhei Kida, Tatsuro Watahiki, Makoto Konagai
    • 雑誌名

      JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      巻: 50 ページ: 012301-1-012301-5

    • DOI

      10.1143/JJAP.50.012301

    • 査読あり
  • [雑誌論文] High Efficicney Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide/Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells Using an Optimized Buffer Layer2011

    • 著者名/発表者名
      Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Tatsuro Watahiki, Makoto Konagai
    • 雑誌名

      APPLIED PHYSICS BXPRESS

      巻: 4 ページ: 092301-1-092301-3

    • DOI

      10.1143/APEX.4.092301

    • 査読あり
  • [学会発表] EFFECT OF DEPOSITION TEMPERATURE OF MICROCRYSTALLINE SILICON OXIDE EMITTERS FOR HETEROJUNCTION SOLAR CELLS2011

    • 著者名/発表者名
      K.Nakada, T.Watahiki, M.Konagai
    • 学会等名
      21^<st> International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      20111128-20111202
  • [学会発表] HIGH EFFICIENCY HYDROGENATED NANOCRYSTALLINE CUBIC SILICON CARBIDE/CRYSTALLINE SILICON HETEROJUNCTION SOLAR CELLS USING AN OPTIMIZED BUFFER LAYER2011

    • 著者名/発表者名
      J.Irikawa, S.Miyajima, T.Watahiki, M.Konagai
    • 学会等名
      21^<st> International Photovoltaic Science and Engineering Conference
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      20111128-20111202
  • [学会発表] Development of the TCO Layer for Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide/Silicon Heterojunction Solar Cells with Aluminum Oxide passivation layers2011

    • 著者名/発表者名
      Junpei Irikawa, Shinsuke Miyajima, Tatsuro Watahiki, Makoto Konagai
    • 学会等名
      2011 International conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      20110928-20110930
  • [学会発表] CHARACTERIZATION OF INTRINSIC HYDROGENATED AMORPHOUS Si_<1-x>O_x LAYERS FOR HIGH EFFICIENCY HETEROJUNCTION SI SOLAR CELLS2011

    • 著者名/発表者名
      Yumiko Yamaguchi, Tatsuro Watahiki, Makoto Konagai
    • 学会等名
      26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
    • 発表場所
      Hamburg, Germany
    • 年月日
      20110905-20110908
  • [学会発表] p型ナノ結晶3C-SiC:H窓層を用いたヘテロ接合型結晶シリコン太陽電池2011

    • 著者名/発表者名
      浜下大輔、黒川康良、小長井誠
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ、岐阜
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] p型μc-SiO:H窓層を用いたn型シリコンヘテロ接合型太陽電池の作製2011

    • 著者名/発表者名
      中田和吉、綿引達郎、小長井誠
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ、岐阜
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] n型ヘテロ接合Si太陽電池用i-a-Si_xO_<1-x>:H界面バッジペーション膜の高品質化2011

    • 著者名/発表者名
      山口裕美子, 綿引達郎, 小長井誠
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ、岐阜
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] Effects of the Deposition Conditions of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide on n-type Crystalline Silicon Hetero junction Solar Cell Performance2011

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Hamashita, Yasuyoshi Kurokawa, Makoto Konagai
    • 学会等名
      37^<th> IEEE Photovoltaic Specialists Conference
    • 発表場所
      Seattle, Washington, USA
    • 年月日
      20110619-20110624
  • [学会発表] Preparation of p-type Hydrogenated Nanocrystalline Cubic Silicon Carbide/n-type Crystalline Silicon Heterojunction Solar Cells by VHF-PECVD2011

    • 著者名/発表者名
      Daisuke Hamashita, Yasuyoshi Kurokawa, Makoto Konagai
    • 学会等名
      E-MRS 2011 SPRING MEETING
    • 発表場所
      NICE, FRANCE
    • 年月日
      20110509-20110513
  • [備考]

    • URL

      http://solid.pe.titech.ac.jp/

URL: 

公開日: 2013-06-26  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi