| 研究課題/領域番号 |
22246017
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| 研究種目 |
基盤研究(A)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
安武 潔 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (80166503)
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| 研究分担者 |
垣内 弘章 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (10233660)
大参 宏昌 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (00335382)
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| 研究期間 (年度) |
2010-04-01 – 2014-03-31
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| キーワード | シリコン / 大気圧プラズマCVD / 大気圧プラズマ酸化 / エピタキシャル成長 / 表面パッシベーション |
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| 研究概要 |
超薄型結晶Si太陽電池の低コスト製造の要素技術となる大気圧プラズマプロセス（Siエピタキシャル成長および酸化）技術を開発した。
大気圧プラズマCVDにおいて、プリカーサ濃度の安定したSi成長を実現するため、熱流体解析結果に基づいた水冷電極システムを開発した。これによりSiH4利用の高効率化（従来の約2倍）、低電力条件での高速成膜、および均一なin-situドーピングが可能となった。
Siの大気圧Heプラズマ酸化により界面特性の優れたSiO2膜を形成し、低表面再結合速度を実現した。また、大気開放条件下でのArプラズマ酸化プロセスを開発し、He同様の優れた特性のSiO2形成条件を明らかにした。
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