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2012 年度 実績報告書

シリコン量子ドットの精密位置制御と量子情報素子の作製

研究課題

研究課題/領域番号 22246040
研究機関東京工業大学

研究代表者

小田 俊理  東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)

研究分担者 小寺 哲夫  東京工業大学, 量子ナノエレクトロニクス研究センター, 助教 (00466856)
研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2013-03-31
キーワードシリコン量子ドット / ナノ結晶配列制御 / 量子情報デバイス / 少数電荷センサ / スピン制御量子ビット
研究概要

ナノシリコン量子ドットの精密配列制御により量子情報デバイスの集積化を目指す研究を行い、以下の成果を得た。
(1) ナノシリコンの粒径縮小を目的としてパルスガス供給に従来の空気作動バルブに変えてピエゾバルブを用いた結果、パルスの立ち上がり時間を従来の100msから20msに短縮することにより粒径6nmを達成できた。
(2) 粒径10nmのナノ結晶シリコンを3次元的に堆積した薄膜の電気伝導特性を間隔20-200nmの電極パターンで調べた結果、ナノ結晶シリコンアレイの電子輸送特性は表面の自然酸化膜により制限されることが分かった。この自然酸化膜の形成を抑えるためにラジカル窒化法による極薄窒化膜の形成が有効であることが判明した。
(3) Geナノワイヤの形成条件を調べて、金粒子触媒の大きさと成長温度を制御することにより直径3nmの世界で最も細いナノワイヤの形成を行った。また、Ge/Siコアシェルナノワイヤの形成に成功した。
(4) SOI基板上に電子ビーム露光技術により2重または3重に結合したMOS型量子ドットと少数電荷検出用の単電子トランジスタを集積したデバイスを作製した。結合量子ドット中の電荷数を0個、1個、2個と制御することに成功した。また、スピン状態を制御するために微小磁石の設計を行い、スピンベースSi Qubitを実現するための要素技術を確立した。
(5) スピンベースシリコン量子ビットのスピン緩和時間を明らかにする目的で高周波時間分解測定をケンブリッジ大学と共同研究を行い、2重結合電荷センサ集積デバイスの測定を行うと共に、高周波パルス測定系の構築を行った。

現在までの達成度 (区分)
理由

24年度が最終年度であるため、記入しない。

今後の研究の推進方策

24年度が最終年度であるため、記入しない。

  • 研究成果

    (49件)

すべて 2013 2012 その他

すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 7件) 学会発表 (42件) (うち招待講演 3件)

  • [雑誌論文] Channel Length Scaling and Surface Nitridation of Silicon Nanocrystals for High Performance Electron Devices2013

    • 著者名/発表者名
      Susoma Jannatul Ferdous, Yoshifumi Nakamine, Tetsuo Kodera, Koichi Usami, Yukio Kawano, Shunri Oda
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 04CH08(4pages)

    • DOI

      DOI:10.7567/JJAP.52.04CH08

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Characterization and suppression of low-frequency noise in Si/SiGe quantum point contacts and quantum dots2013

    • 著者名/発表者名
      K. Takeda, T. Obata, Y. Fukuoka, W. M.Akhtar, J. Kamioka, T. Kodera, S. Oda, and S. Tarucha
    • 雑誌名

      Applied Physics Letters

      巻: 102 ページ: 123113(3pages)

    • DOI

      DOI:10.1063/1.4799287

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Dual Function of Single Electron Transistor Coupled with Double Quantum Dot: Gating and Charge Sensing2013

    • 著者名/発表者名
      T. Kambara
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 52 ページ: 04CJ0, 1-4

    • DOI

      10.7567/JJAP.52.04CJ01

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Magnetic field dependence of Pauli spin blockade: A window into the sources of spin relaxation in silicon quantum dots2012

    • 著者名/発表者名
      G. Yamahata, T. Kodera, H. O. H.Churchill, K. Uchida, C. M. Marcus, and S. Oda
    • 雑誌名

      Physical Review B

      巻: 86 ページ: 115322(5 pages)

    • DOI

      DOI:10.1103/PhysRevB.86.115322

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Key capacitive parameters for designing single-electron transistor charge sensors2012

    • 著者名/発表者名
      K. Horibe, T. Kodera, T. Kambara, K.Uchida, and S. Oda
    • 雑誌名

      Journal of Applied Physics

      巻: 111

    • DOI

      DOI:10.1063/1.4711094

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Localization effects in the tunnel barriers of phosphorus-doped silicon quantum dots2012

    • 著者名/発表者名
      T. Ferrus, A. Rossi, W. Lin, D. A.Williams, T. Kodera, and S. Oda
    • 雑誌名

      AIP Advances

      巻: 2 ページ: 022114(9pages)

    • DOI

      DOI:10.1063/1.4707165

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Photoluminescence of Nanocrystalline Silicon Quantum Dots with Various Sizes and Various Phosphorus Doping Concentrations prepared by Very High Frequency Plasma2012

    • 著者名/発表者名
      Ken Someno
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 51 ページ: 115202-1-4

    • DOI

      10.1143/JJAP.51.115202

    • 査読あり
  • [学会発表] 三角形状に配置したシリコン三重量子ドットの電子輸送特性

    • 著者名/発表者名
      溝口来成
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
  • [学会発表] チャージセンサによるシリコン2重結合量子ドットの少数電子状態観測

    • 著者名/発表者名
      堀部浩介
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
  • [学会発表] GaAs/AlGaAsを用いたテラヘルツ帯分光器のゲート電圧による出力変調

    • 著者名/発表者名
      鈴木大地
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
  • [学会発表] 熱電変換素子に向けたGe/Si コアシェルナノワイヤの作製

    • 著者名/発表者名
      小路智也
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
  • [学会発表] 微小磁性体電極集積によるシリコン2重結合量子ドットへの2軸磁場印加

    • 著者名/発表者名
      蒲原知宏
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川県)
  • [学会発表] High Density Vertical Silicon Nanowires for Photodetector Applications

    • 著者名/発表者名
      Akhmadi Surawijaya
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Fabrication and characterization of bottom-up Si Nanowire

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Noguchi,
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Fabrication of Ge/Si core/shell nanowires using size controlled Au nanoparticles as Vapor-Liquid-Solid growth catalysts

    • 著者名/発表者名
      Tomoya Shoji
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Terahertz spectroscopic signal modulation by the gate voltage with a GaAs/AlGaAs field-effect transistor

    • 著者名/発表者名
      Daichi Suzuki,
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Terahertz imaging of crystalline polyhydroxybutyrates

    • 著者名/発表者名
      Nobuhiro Kondo
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Terahertz detection with antenna-coupled heavily P-doped Si quantum dots

    • 著者名/発表者名
      Takayoshi Kuga
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Impact of Deformation Potential Increase at Si/SiO2 Interfaces on Stress-Induced Electron Mobility Enhancement in MOSFET

    • 著者名/発表者名
      Teruyuki Ohashi
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Surface Plasmon Enhanced Light Emission from Silicon Nanocrystals

    • 著者名/発表者名
      A. Boudraa
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Fabrication of MOS structure gate-defined Si/SiGe quantum dot device

    • 著者名/発表者名
      Jun Kamioka
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Observation of Few-Hole Regime throughp-channel Si Double Quantum Dots

    • 著者名/発表者名
      Ko Yamada
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Two-electron silicon double quantum dots fabricated for spin-based qubit application

    • 著者名/発表者名
      K. Horibe
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Synthesis of Ge nanowires far below AuGe eutectic temperature, their characterisation and device fabrication

    • 著者名/発表者名
      M. Simanullang
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Observation of electron transitions in triple quantum dot by using charge sensor

    • 著者名/発表者名
      R. Mizokuchi,
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Demonstration of large charging energy in quantum dots fabricated on ultrathin SOI

    • 著者名/発表者名
      Satoshi Ihara
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Micro magnets on lithographically-defined Si double quantum dots for electron spin resonance

    • 著者名/発表者名
      Tomohiro Kambara
    • 学会等名
      IEEE EDS WIMNACT-37
    • 発表場所
      Tokyo Tech Front (東京都)
  • [学会発表] Gate-voltage tunable terahertz detection by a GaAs/AlGaAs quantum device

    • 著者名/発表者名
      Daichi Suzuki
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2012
    • 発表場所
      Wollongong (オーストラリア)
  • [学会発表] Terahertz Radiation Detection through a Micro-Scale Antenna and a Silicon-Based Quantum Dot

    • 著者名/発表者名
      Luca Crespi
    • 学会等名
      IRMMW-THz 2012
    • 発表場所
      Wollongong (オーストラリア)
  • [学会発表] Dual Function of Charge Sensor: Charge Sensing and Gating

    • 著者名/発表者名
      Kambara Tomohiro
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials Conference
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都府)
  • [学会発表] Fabrication and Characterization of p-Channel Si Double-Quantum-Dot Structures

    • 著者名/発表者名
      Yamada Ko
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials Conference
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都府)
  • [学会発表] Scaling of Channel Length for Highly Conductive Silicon Nanocrystal Films

    • 著者名/発表者名
      Susoma Jannatul Ferdous
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials Conference
    • 発表場所
      京都国際会議場(京都府)
  • [学会発表] ホール輸送によるp型量子ドットの作製と特性評価

    • 著者名/発表者名
      山田 宏
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] バックゲートとソース/ドレイン電圧印加による各量子ドットの電気化学ポテンシャル制御

    • 著者名/発表者名
      蒲原知宏
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] 正三角形の頂点に配置したシリコン3重量子ドットの作製と特性評価

    • 著者名/発表者名
      小寺哲夫
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] Channel Length Scaling and Surface Nitridation of Silicon Nanocrystals for High Performance Electron Device

    • 著者名/発表者名
      Jannatul susoma
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] 単電子トランジスタによるSi三重量子ドットのチャージセンシング

    • 著者名/発表者名
      溝口来成,
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] 神岡 純

    • 著者名/発表者名
      MOS構造gateを有するSi/SiGe量子ドットデバイスの作製
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] Si ナノワイヤ FETの電気特性に対するアニーリング処理の影響

    • 著者名/発表者名
      野口智弘
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] VHFプラズマにより作製したナノ結晶シリコンのフッ硝酸による粒径縮小

    • 著者名/発表者名
      近藤信啓
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] Low Growth Temperature of Ge NWs for Electron Device Application

    • 著者名/発表者名
      Marolop Simanullang
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] GaAs/AlGaAsを用いた周波数可変テラヘルツ波検出器のゲート電圧による応答制御

    • 著者名/発表者名
      鈴木大地
    • 学会等名
      第73回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      愛媛大学(愛媛県)
  • [学会発表] Silicon quantum dots devices

    • 著者名/発表者名
      S. Oda
    • 学会等名
      IMRC 2012
    • 発表場所
      Cancun (メキシコ)
    • 招待講演
  • [学会発表] Fabrication and evaluation of heavily P-doped Si quantum dot and back-gate induced Si quantum dot

    • 著者名/発表者名
      J.Kamioka
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu (米国)
  • [学会発表] Microwave manipulation of electrons in silicon quantum dots

    • 著者名/発表者名
      T. Ferrus
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu (米国)
  • [学会発表] Charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors

    • 著者名/発表者名
      R. Mizokuchi,
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu (米国)
  • [学会発表] Fabrication and characterization of Si/SiGe quantum dots with capping gate

    • 著者名/発表者名
      T. Kodera
    • 学会等名
      IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
    • 発表場所
      Honolulu (米国)
  • [学会発表] Low-temperature growth of Ge nanowires by vapor-liquid-solid chemical vapor deposition

    • 著者名/発表者名
      Marolop Simanullang
    • 学会等名
      ECS Transactions
    • 発表場所
      Seatle (米国)
    • 招待講演
  • [学会発表] Silicon nanocrystal memory

    • 著者名/発表者名
      Shunri Oda
    • 学会等名
      Materials Research Society
    • 発表場所
      San Francisco (米国)
    • 招待講演

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公開日: 2014-07-24  

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