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2010 年度 実績報告書

新しい高出力深紫外発光素子の開発

研究課題

研究課題/領域番号 22246051
研究機関立命館大学

研究代表者

青柳 克信  立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション推進機構, 教授 (70087469)

研究分担者 武内 道一  立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション推進機構, 准教授 (60284585)
黒内 正仁  立命館大学, 立命館グローバル・イノベーション推進機構, ポストドクトラルフェロー (10452187)
キーワード深紫外発光素子 / マイクロプラズマ / 高品質GaAlN結晶 / 2光速同時その場観測法 / スパッタ装置 / 水銀灯 / 高効率 / 水殺菌
研究概要

本研究はAlGaN系エピタキシャル成長とマイクロプラズマを用いた世界で全く新しいアイデアに基づく高出力、高効率、大面積、長寿命、任意波長の深紫外光発生技術を開発し、さらにこれを水処理に具体的に応用し、従来の水銀ランプによる水処理法との比較検討を行い本研究で開発した光源の優位性を明らかにする事を目的とする。本年度はそのために(1)マイクロプラズマを用いた深紫外発光素子実現のアイデアの原理実証研究をまず行った。又、(2)高出力深紫外光の発生には高品質のAlGaN結晶成長が不可欠であるので新たな方法の高品質AlGaN結晶成長法を開発した。(3)更に、深紫外発光素子における水の浄化等が有効に行われるかどうかについても本年度は原理実証研究を行った。更に(4)本デバイスを実現するために必要不可欠な本牧的にあった材料を効率よくスパッタできるRFスパッタ装置の設計とその予備実験を行った。以上の実験より、(1)マイクロプラズマ励起により260から280nmの深紫外発光が得られることを確認した。(2)更に、我々の持つ特徴的な技術である、結晶成長2光束その場観測装置を活用し、新たに、通常より低い温度でも高品質のAlGaN結晶成長ができる方法を見いだした。この結果は現在特許申請準備中であり、また窒化物半導体国際会議の口頭発表として紹介される。(3)更に深紫外発光素子の水殺菌処理への応用可能性の原理実証に関しては、通常の水銀ランプの254nmの短い波長でなくても280nmの波長で十分の殺菌能を持っていることが解り、デバイスの作製しやすさから280nmの波長を選ぶことが深紫外素子を用いた水殺菌には最適であることが解った。この結果はJ.Environmental Engineeringにacceptされ現在印刷中である。又(4)新たな本研究に設計されたRFスパッタ蒸着装置の作製し、その性能のテストを行い、所定の性能を出すことができた。

  • 研究成果

    (17件)

すべて 2011 2010

すべて 学会発表 (13件) 産業財産権 (4件)

  • [学会発表] 高効率・高出力縦型深紫外発光素子の開発とその環境、バイオ・計測への応用2011

    • 著者名/発表者名
      武内道一, 黒内正仁, 青柳克信
    • 学会等名
      京都ナノクラスター生活資源グループ平成22年度第2回グループミーティング
    • 発表場所
      JSTイノベーションプラザ京都(京都府)
    • 年月日
      2011-03-11
  • [学会発表] 2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究2011

    • 著者名/発表者名
      武内道、黒内正仁、青柳克信
    • 学会等名
      窒化物光半導体のフロンティア-材料潜在能力の極限発現-
    • 発表場所
      長浜・滋賀(Invited)
    • 年月日
      2011-03-01
  • [学会発表] Crack-free AlGaN/AlN Templates Grown on Si(111) Substrates by In-situ Void Formation Technique2010

    • 著者名/発表者名
      Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • 年月日
      20100919-20100924
  • [学会発表] Formation of Three-dimensional AlN Structure for Initial Growth by Annealing AlN Buffer Love2010

    • 著者名/発表者名
      Masahiro Kurouchi, Misaichi Takeuchi, Yoshinobu Aoyagi
    • 学会等名
      The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa, Florida, USA
    • 年月日
      20100919-20100924
  • [学会発表] Development of DUV Light Emitter by Nonlinear PhotonicCrystal and AlGaN Semiconductors2010

    • 著者名/発表者名
      Y.Aoyagi
    • 学会等名
      Int.Conf.Lasar lion (2010)
    • 発表場所
      Munich, Germany
    • 年月日
      20100708-20100710
  • [学会発表] III-Nitride based deep UV light emitting devices for environmental issues2010

    • 著者名/発表者名
      Misaichi Takeuchi
    • 学会等名
      The 7th Scientific Conference of University of Science
    • 発表場所
      Ho Chi Minh, Viet Nam
    • 年月日
      2010-11-26
  • [学会発表] Growth and Application of AlGaN Deep UV LEDs -Water Purification and Ozone Sensing2010

    • 著者名/発表者名
      M.Takeuchi, K.Yoshida, M.Kurouchi, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi
    • 学会等名
      The 6th SNU-Ritsumeikan University Joint Workshop
    • 発表場所
      Soeul, Korea
    • 年月日
      2010-11-10
  • [学会発表] 水殺菌、およびオゾン検知へのAlGaN系深紫外LEDの実応用2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、吉田薫、黒内正人、荒木努、名西〓之、青柳克信
    • 学会等名
      窒化物ナノ・エレクトロニクス材料研究センター講演会GaN系プラネットコンシャスデバイス・材料の現状
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2010-11-04
  • [学会発表] 深紫外LEDによる水処理・オゾンセンサー2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一
    • 学会等名
      第三回窒化物半導体の高品質結晶成長とその素子応用
    • 発表場所
      東北大学(宮城県)
    • 年月日
      2010-10-26
  • [学会発表] 極性混在AlNバッファ層のアニール処理による新しい核形成法2010

    • 著者名/発表者名
      黒内正人、武内道一、青柳克信
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-15
  • [学会発表] 深紫外線LEDを用いたオゾン濃度測2010

    • 著者名/発表者名
      吉田薫、黒内正仁、武内道山、荒木努、名西〓之、菅野裕靖、阿彦由美、中村広隆、青柳克信
    • 学会等名
      2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎県)
    • 年月日
      2010-09-15
  • [学会発表] III族窒化物半導体深紫外光源による水処理2010

    • 著者名/発表者名
      武内道一、黒内正人、青柳克信、安井宣仁、神子直之
    • 学会等名
      第13回日本水環境学会シンポジウム
    • 発表場所
      京都大学(京都府)
    • 年月日
      2010-09-09
  • [学会発表] Water Sterilization by AlGaN base DUV Light Emitting Diodes2010

    • 著者名/発表者名
      K.Yoshida, M, Kurouchi, M.Takeuchi, N.Yasui, N.Kamiko, Y.
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS29)
    • 発表場所
      ラフォーレ修善寺(静岡県)
    • 年月日
      2010-07-06
  • [産業財産権] 窒化物半導体発光素子および半導体光学装置2011

    • 発明者名
      太田征孝, 上田吉裕, バッカロ, パフロ, 青柳克信
    • 権利者名
      太田征孝, 上田吉裕, バッカロ, パフロ, 青柳克信
    • 産業財産権番号
      特願2011-004714
    • 出願年月日
      2011-01-13
  • [産業財産権] オゾン濃度測定装置2011

    • 発明者名
      吉田薫, 武内道一, 青柳克信, 菅野裕靖, 阿彦由美, 菅野勝靖, 中村広隆
    • 権利者名
      吉田薫, 武内道一, 青柳克信, 菅野裕靖, 阿彦由美, 菅野勝靖, 中村広隆
    • 産業財産権番号
      特願2011-038925
    • 出願年月日
      2011-02-24
  • [産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2011

    • 発明者名
      青柳克信, 武内道一, 上田吉裕, 太田征孝
    • 権利者名
      青柳克信, 武内道一, 上田吉裕, 太田征孝
    • 産業財産権番号
      特願2011-042479
    • 出願年月日
      2011-02-28
  • [産業財産権] 結晶成長方法および半導体素子2010

    • 発明者名
      青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
    • 権利者名
      青柳克信、武内道一、上田吉裕、太田征孝
    • 産業財産権番号
      特願2010-155388
    • 出願年月日
      2010-07-08

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公開日: 2012-07-19  

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