研究課題
基盤研究(A)
エピタキシャル Alternate Monatomic Layered (AML)磁性体/非磁性体界面のスピン依存界面抵抗に着目し、中間層材料を変えた CPP(Current Perpendicular to Plane) GMR 素子を試作し、Ag 中間層を用いた場合に、0.84 の大きな γ 値が得られること、またその MR 特性は、 AML 膜厚 5nm で面積抵抗変化量△RA が 3mΩμm2以上、 MR 比>5%が得られることを見出した。 また、 アンドレーフ反射法によって AML Fe/Co 薄膜のスピン分極率が 0.60 であることを実験的に検証し、規則度の増加によるスピン分極率の増加を確認した。これらの結果から 高 MR を有するナノコンタクト MR 素子に対する材料設計指針を得た。
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