| 研究概要 |
これまでに行ったPCAR測定により、Co2Mn(Ge,Ga), Co2Fe(Ge,Ga), Co2Fe(Si,Ge)などの4元系強磁性ホイスラー合金で、高いスピン分極率が得られることが分かった。これら新規探索材料を電極として、AgをスペーサとしたCPP-GMR素子を作製し、素子における伝導電子のバルクならびに界面でのスピン散乱非対称性を評価した。これらの材料で高いCPP-GMRが得られる原因を特定するために、磁気抵抗出力を磁性層厚さについて系統的に測定し、理論へのfittingの結果、バルクならびに界面スピン散乱異方性が極めて高くなっていることが分かった。また磁気抵抗出力を最適化するために、スペーサ層をAg, Cu, Cu2TiAlで比較し、全ての層がホイスラー層のCo2Fe(Ge,Ga)/Cu2TiAl/Co2Fe(Ge,Ga)三層素子で高いMR出力を低温アニールで実現できることを示した。
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