研究課題
半導体量産ラインでは、集束性の高い高品質のエネルギーである量子ビームと低質・安価な熱エネルギーを組み合わせることにより、高解像度かつ高感度な加工が実現されてきた。しかし、次世代の16nm以下の加工では、通常の手法により高解像かつ高感度加工は困難であり、反応場の制御が不可欠になると考えられる。本研究では電子線、レーザー、極端紫外光（EUV）、X線等の量子ビームを加工手段かつ分析手段として最大限活用することにより、量子ビームをトリガーとして開始され、16nm以下の領域において完結させる必要がある化学反応および反応場の詳細を解明することを目的とする。平成24 年度は、レジスト中での化学反応および反応場の詳細を解明することを目的に、レジストモデル化合物の電子線リソグラフィ加工実験、電子線パルスラジオリシス、プラズマEUV光源を用いたEUV露光による生成物分析、EUVFELを光源としたEUV誘起反応の測定を実施した。得られた知見をもとに、モンテカルロシミュレーションを行いレジストパターンの表面形状揺らぎと化学反応の揺らぎの関係を明らかにするとともに、表面形状揺らぎとレジスト高分子の分子量依存性、保護率依存性等を明らかにした。さらに、次世代高吸収レジストおよび13.5nmの次の世代のリソグラフィとして注目されている6.7nmEUVリソグラフィにおけるレジスト解像度、感度、表面形状揺らぎの関係をシミュレーションにより明らかにし、次世代レジスト設計指針を得た。
24年度が最終年度であるため、記入しない。
すべて 2013 2012
すべて 雑誌論文 (10件) (うち査読あり 10件) 学会発表 (2件)
Jpn. J. Appl. Phys
巻: 52巻 ページ: 016501
DOI:10.7567/JJAP.52.016501
Appl. Phys. Express
巻: 6 ページ: 014001
10.7567/APEX.6.014001
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 52 ページ: 046502
10.7567/JJAP.52.046502
巻: 51巻 ページ: 116503
DOI:10.1143/JJAP.51.116503
巻: 51巻 ページ: 106701
DOI:10.1143/JJAP.51.106701
巻: 5巻 ページ: 096701
DOI:10.1143/APEX.5.096701
巻: 51巻 ページ: 086504
DOI:10.1143/JJAP.51.086504
巻: 51巻 ページ: 06FC01
DOI:10.1143/JJAP.51.06FC01
J. Photopolym. Sci. Technol.
巻: 25 ページ: 625-631
巻: 51 ページ: 126501
10.1143/JJAP.51.126501
