量子ビーム複合利用によるナノ空間反応および反応場の研究

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22246128
• 研究種目: 基盤研究(A)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 原子力学
• 研究機関: 大阪大学
• 研究代表者: 古澤 孝弘 大阪大学, 産業科学研究所, 教授 (20251374)
• 研究分担者: 楊 金峰 大阪大学, 産業科学研究所, 准教授 (90362631) ; 小林 一雄 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (30116032) ; 山本 洋揮 大阪大学, 産業科学研究所, 助教 (00516958)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• キーワード: 放射線 / X 線 / 粒子線 / 半導体超微細化 / シミュレーション工学 / 計算物理

研究概要

半導体量産ラインでは、集束性の高い高品質のエネルギーである量子ビームと低質・安価な熱エネルギーを組み合わせることにより、高解像度かつ高感度な加工が実現されてきた。本研究では電子線、レーザー、極端紫外光(EUV)、X 線等の量子ビームを加工手段かつ分析手段として最大限活用することにより、量子ビームをトリガーとして開始され、16nm 以下の領域において完結させる必要がある化学反応および反応場の詳細を解析し、得られた知見をもとにモンテカルロシミュレーションコードを開発した。

研究成果

• [雑誌論文] Chemical Gradient of Contact Hole Latent Image Created in Chemically Amplified ExtremeUltraviolet Resists (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa and T. Hirayama
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 52巻 ページ: 046502
  • DOI: DOI:10.7567/JJAP.52.046502.
  • 査読あり
• [雑誌論文] Electron and Hole Transfer in Anion-Bound Chemically Amplified Resists Used in ExtremeUltraviolet Lithography (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Komuro, H. Yamamoto, Y. Utsumi, K. Ohomori, and T. Kozawa
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 6巻 ページ: 014001
  • DOI: DOI:10.7567/APEX.6.014001
  • 査読あり
• [雑誌論文] Theoretical Study on Acid Diffusion Length in Chemically Amplified Resists Used for Extreme Ultraviolet Lithography (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 52巻 ページ: 016501
  • DOI: DOI:10.7567/JJAP.52.016501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Molecular Weight and Protection Ratio on Latent Image Fluctuation of Chemically Amplified ExtremeUltraviolet Resists (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51巻 ページ: 126501
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.126501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Stochastic Effect of Acid Catalytic Chain Reaction in Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51巻 ページ: 116503
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.116503
  • 査読あり
• [雑誌論文] Resist Properties Required for 6.67nm Extreme Ultraviolet Lithography (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa and A. Erdmann
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51巻 ページ: 106701
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.106701
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Ultrahigh-Density Ionization of Resist Films on Sensitivity Using Extreme-Ultraviolet Free-Electron Laser (2012)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, T. Kozawa, K. Oikawa, T. Hatsui, M. Nagasono, T. Kameshima, T. Togashi, K. Tono, M. Yabashi, H. Kimura, Y. Senba, H. Ohashi, R. Fujiyoshi, and T. Sumiyoshi
  • 雑誌名: Appl. Phys. Express 巻: 5巻 ページ: 096701
  • DOI: DOI:10.1143/APEX.5.096701
  • 査読あり
• [雑誌論文] Relationship between Absorption Coefficient and Line Edge Roughness of Chemically Amplified Resists Used for Extreme Ultraviolet Lithography (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 雑誌名: J. Photopolym. Sci. Technol 巻: 25巻 ページ: 625-631
  • 査読あり
• [雑誌論文] Relationship between Stochastic Effect and Line Edge Roughness in Chemically Amplified Resists for Extreme Ultraviolet Lithography Studied by Monte Carlo Simulation (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51巻 ページ: 086504
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.086504
  • 査読あり
• [雑誌論文] Lower Limit of Line Edge Roughness in High-Dose Exposure of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 51巻 ページ: 06FC01
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.51.06FC01
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of Acid Generator Decomposition during Exposure on Acid Image Quality of Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa and S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50巻 ページ: 076505
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.076505
  • 査読あり
• [雑誌論文] Assessment and Extendibility of Chemically Amplified Resists for Extreme Ultraviolet Lithography: Consideration of Nanolithography beyond 22nm Half-Pitch (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, H. Oizumi, T. Itani, and S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50巻 ページ: 076503
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.076503
  • 査読あり
• [雑誌論文] Analysis of Dose-Pitch Matrices of Line Width and Edge Roughness of Chemically Amplified Fullerene Resist (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, H. Oizumi, T. Itani, and S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 50巻 ページ: 126501
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.50.126501
  • 査読あり
• [雑誌論文] Diffusion Control Using Matrix Change during Chemical Reaction for Inducing Anisotropic Diffusion in Chemically Amplified Resists (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, H. Oizumi, T. Itani, and S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 49巻 ページ: 036506
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.49.036506
  • 査読あり
• [雑誌論文] Reconstruction of Latent Images from Dose-Pitch Matrices of Line Width and Edge Roughness of Chemically Amplified Resist for Extreme Ultraviolet Lithography (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, H. Oizumi, T. Itani, and S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys 巻: 49巻 ページ: 066504
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.49.066504
  • 査読あり
• [雑誌論文] Dynamics of Radical Cation of Poly(4-hydroxystyrene)-Based Chemically Amplified Resists for Extreme-Ultraviolet and Electron Beam Lithographies (2010)
  • 著者名/発表者名: K. Okamoto, M. Tanaka, T. Kozawa, and S. Tagawa
  • 雑誌名: Jpn. J. Appl. Phys. 巻: 49巻 ページ: 106501
  • DOI: DOI:10.1143/JJAP.49.106501
  • 査読あり
• [学会発表] Resist properties required for 6.67 nm extreme ultraviolet lithography (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 学会等名: 10th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop
  • 発表場所: Hersbruck, Germany
  • 年月日: 2012-09-21
• [学会発表] Status and Challenge of Chemically Amplified Resists for Extreme Ultraviolet Lithography (2012)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa
  • 学会等名: 2012 International Workshop on EUVL
  • 発表場所: Maui, Hawaii, USA
  • 年月日: 2012-06-06
• [学会発表] Theoretical study of 11-nm-fabrication using 6.67-nm EUV lithography (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, and A. Erdmann
  • 学会等名: 9th Fraunhofer IISB Lithography Simulation Workshop
  • 発表場所: Hersbruck, Germany
  • 年月日: 2011-09-16
• [学会発表] Analysis of Chemical Reactions Induced in Chemically Amplified Extreme Ultraviolet Resists (2010)
  • 著者名/発表者名: T. Kozawa, H. Oizumi, T. Itani, and S. Tagawa
  • 学会等名: European Symposium of Photopolymer Science
  • 発表場所: Mulhouse, France
  • 年月日: 2010-11-30
• [備考]
  • URL: http://www.sanken.osaka-u.ac.jp/labs/bms/