| 研究概要 |
MEMS技術の援用により,セラミック基板上に3軸方向の加速度および磁場を高感度に検出可能なセンサを作製するための要素技術開発を実施した.加速度センサについては,1軸方向にのみ振動するバネ機構を提案し,シミュレーションと実デバイスの性能評価により有用性を実証した.また,エレクトレットを用いた自己発電機構を有する慣性力センサの開発に成功した.磁気センサについては,巨大磁気抵抗(GMR)効果およびトンネル型磁気抵抗(TMR)効果素子の作製に必要となる強磁性体薄膜(CoおよびNiMoFe)をセラミック基板上に形成し,その有効性を確認した.また,磁場の3軸検出に必要となる磁気収束板をMEMS技術の援用により作製することにも成功した.
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