研究課題
基盤研究(B)
5d 遷移金属酸化物IrO_2 の逆スピンホール効果を検出し,スピン流→電圧変換の性能指数であるスピンホール抵抗率がPt の10 倍程度となることを示した.5d 遷移金属酸化物においてスピン・軌道相互作用が支配的であることを輸送現象から初めて見出すとともに,高効率スピン流検出用材料としての可能性を証明した.また,SrIrO_3 とSrTiO_3 からなる人工超格子が新たなモット絶縁体であることを見出し,スピン・軌道相互作用と電子相関の協奏に及ぼす次元性の効果を明らかにした.
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Applied Physics Letters
巻: 100 ページ: 112406(1-3)
Physical Review B 83
巻: 115121 ページ: 1-5
Physical Review Letters 106
巻: 226601 ページ: 1-4
http://www.riken.jp/lab-www/magmatlab/matsuno/