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2012 年度 研究成果報告書

高相純度立方晶III族窒化物半導体薄膜成長とヘテロ構造の物性応用

研究課題

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研究課題/領域番号 22360005
研究種目

基盤研究(B)

配分区分補助金
応募区分一般
研究分野 応用物性・結晶工学
研究機関東京大学

研究代表者

尾鍋 研太郎  東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 教授 (50204227)

連携研究者 矢口 裕之  埼玉大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (50239737)
片山 竜二  東北大学, 金属材料研究所, 准教授 (40343115)
窪谷 茂幸  東京大学, 大学院・新領域創成科学研究科, 助教 (70583615)
研究協力者 サクンタム サノーピン  チュラロンコン大学(タイ), 理学部, 助教授
研究期間 (年度) 2010 – 2012
キーワードエピタキシャル成長
研究概要

III族窒化物半導体GaN,InN,AlNおよび関連混晶の高相純度立方晶薄膜およびヘテロ構造を、有機金属気相成長法ないし分子線エピタキシー法を用いて実現し、相純度、欠陥性状、発光特性、電気伝導特性などの基礎物性を成長条件との関連において明らかにした。とくに立方晶InNおよびInGaNにおいてはYSZ(001)基板の有用性を確認した。また立方晶GaNおよびAlGaNにおいては、Si添加による伝導性制御を確立した。立方晶AlNにおいてはバンドギャップ値を同定した。

  • 研究成果

    (31件)

すべて 2013 2012 2011 2010

すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 5件) 学会発表 (24件)

  • [雑誌論文] RF-MBE growth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer2013

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya、R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: (In Press)

    • URL

      http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y

    • 査読あり
  • [雑誌論文] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S.Kuboya, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi(c)

      巻: Vol. 9 ページ: 558-561

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201100395

    • 査読あり
  • [雑誌論文] TEMinvestigation of anisotropic defect structure in cubic GaN/AlGaAs/GaAs(001) grown by MOVPE2011

    • 著者名/発表者名
      J. Parinyataramas, S. Sanorpim, C.Thanachayanont, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi (c)

      巻: Vol. 8 ページ: 2255-2257

    • DOI

      DOI:10.1002/pssc.201001170

    • 査読あり
  • [雑誌論文] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入傾向2011

    • 著者名/発表者名
      石田崇,角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
    • 雑誌名

      第58回応用物理学関係連合講演会予稿集

      巻: CD-ROM

  • [雑誌論文] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長2011

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
    • 雑誌名

      第58回応用物理学関係連合講演会予稿集

      巻: CD-ROM

  • [雑誌論文] RF-MBE growth of Si doped cubic GaN and hexagonal phase incorporated c-AlGaN films on MgO(001) substrates2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe,
    • 雑誌名

      Journal of Crystal Growth

      巻: Vol.323 ページ: 91-94

    • URL

      http://www.sciencedirect.com/science/journal/00220248?oldURL=y

    • 査読あり
  • [雑誌論文] A growth model of cubic GaN microstripes grown by MOVPE: Vapour Phase diffusion model including surface migration effects2010

    • 著者名/発表者名
      P. Sukkaew, S. Sanorpim, K. Onabe
    • 雑誌名

      physica status solidi(a)

      巻: Vol. 207 ページ: 1372-1374

    • DOI

      DOI:10.1002/pssa.200983548

    • 査読あり
  • [学会発表] Y立方晶AlNおよび高Al濃度立方晶AlGaNのRF-MBE成長2013

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第60回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      神奈川工科大学(神奈川)
    • 年月日
      2013-03-28
  • [学会発表] Growth of Cubic AlN Films on MgO substrates by MBE2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, H. Yaguchi, K. Onabe,
    • 学会等名
      GCOE International Sympsium on Physical Sciences Frontier
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      2012-12-09
  • [学会発表] RF-MBEGrowth of cubic AlN on MgO(001) substrates via 2-step c-GaN buffer layer2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012)
    • 発表場所
      奈良(奈良)
    • 年月日
      2012-09-24
  • [学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate via2-step cubic GaN buffer layer by RF-MBE2012

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S. Morikawa, S. Kuboya,R. Katayama, K. Onabe
    • 学会等名
      31th Electronic Materials Symposium (EMS-31)
    • 発表場所
      伊豆(静岡)
    • 年月日
      2012-07-11
  • [学会発表]2012

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第4回窒化物半導体結晶成長講演会
    • 発表場所
      東京大学(東京)
    • 年月日
      2012-04-27
  • [学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(3)2012

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,森川生,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第59回応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大学(東京).
    • 年月日
      2012-03-16
  • [学会発表] 立方晶GaNバッファー層を用いた立方晶AlNのRF-MBE成長(2)2011

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,牧野兼三,石田崇,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形)
    • 年月日
      2011-08-30
  • [学会発表] YSZ(001)微傾斜基板上立方晶InNへの六方晶相の混入比率の偏り2011

    • 著者名/発表者名
      石田崇,角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学(山形)
    • 年月日
      2011-08-30
  • [学会発表] MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      9th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-9)
    • 発表場所
      Glasgow, UK.
    • 年月日
      2011-07-12
  • [学会発表] Cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates grown by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ishida, M. Kakuda, S. Kuboya, K.Onabe
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
    • 発表場所
      守山(滋賀).
    • 年月日
      2011-07-01
  • [学会発表] RF-MBE growth of cubic AlN films on MgO substrate via cubic GaN buffer layer2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      30th Electronic Materials Symposium (EMS-30)
    • 発表場所
      守山(滋賀).
    • 年月日
      2011-06-30
  • [学会発表] Growth of cubic InN films on YSZ(001) vicinal substrates by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      T. Ishida, M. Kakuda, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS-2011)
    • 発表場所
      Toba, Mie, Japan.
    • 年月日
      2011-05-25
  • [学会発表] Growth of cubic AlN films on MgO substrate using cubic GaN buffer layer by RF-MBE2011

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, K. Makino, T. Ishida, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS-2011)
    • 発表場所
      Toba,Mie, Japan.
    • 年月日
      2011-05-25
  • [学会発表] Cubic III-nitrides: potential photonic materials (Invited)2011

    • 著者名/発表者名
      K. Onabe, S.Sanorpim, H. Kato, M.Kakuda, T. Nakamura, K. Nakamura, S.Kuboya, R. Katayama
    • 学会等名
      SPIE Photonic West 2011
    • 発表場所
      San Francisco, CA,USA.
    • 年月日
      2011-01-24
  • [学会発表] Growth of cubic InN and InGaN films on YSZ(001) substrates by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
    • 発表場所
      Berlin, Germany.
    • 年月日
      20100800
  • [学会発表] RF-MBE Growth of Cubic InN and InGaN Films on YSZ(001) Substrates2010

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2010)
    • 発表場所
      Tampa,Florida, USA.
    • 年月日
      2010-09-20
  • [学会発表] RF-MBE法によるMgO(001)基板上Siドープ立方晶AlGaNの薄膜成長2010

    • 著者名/発表者名
      角田雅弘,窪谷茂幸,尾鍋研太郎
    • 学会等名
      第71回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      長崎大学(長崎)
    • 年月日
      2010-08-27
  • [学会発表] RF-MBE Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates2010

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S.Kuboya, K. Onabe,
    • 学会等名
      16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2010)
    • 発表場所
      Berlin,Germany.
    • 年月日
      2010-08-26
  • [学会発表] Growth of Si doped cubic GaN and AlGaN films on MgO(001) substrates by RF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, S.Kuboya, K. Onabe,
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      伊豆(静岡).
    • 年月日
      2010-07-15
  • [学会発表] RF-MBE growth of cubic InN and InGaN films on YSZ(001) substrates2010

    • 著者名/発表者名
      K. Nakamura, T. Ishida, M. Kakuda,S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      伊豆(静岡)
    • 年月日
      2010-07-15
  • [学会発表] MOVPE growth of cubic GaN films via an AlGaAs intermediate layer on GaAs(001) substrates2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S.Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)
    • 発表場所
      伊豆(静岡).
    • 年月日
      2010-07-15
  • [学会発表] MOVPE growth of c-GaN films via an AlGaAs intermediate Layer2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S.Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      The 3rd International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN3)
    • 発表場所
      Montpellier,France.
    • 年月日
      2010-07-05
  • [学会発表] Growth of Si doped c-AlGaN and c-GaNfilms on MgO (001) substrate byRF-MBE2010

    • 著者名/発表者名
      M. Kakuda, Y. Fukuhara, K.Nakamura, S. Kuboya, K. Onabe,
    • 学会等名
      8th International Symposiumon Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2010)
    • 発表場所
      Beijing, China.
    • 年月日
      2010-05-17
  • [学会発表] Growth of c-GaN Films via an AlGaAs Intermediate Layer on GaAs(001) Substrates by MOVPE2010

    • 著者名/発表者名
      H. Kato, Y. Seki, Q. T. Thieu, S. Kuboya, K. Onabe
    • 学会等名
      8th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices(ISSLED 2010)
    • 発表場所
      Beijing, China.
    • 年月日
      2010-05-17

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公開日: 2014-08-29   更新日: 2015-10-06  

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