研究課題
基盤研究(B)
不揮発性スピンメモリにおいて電界誘起磁化反転を利用したデータ書換えを確立するために、強磁性金属/酸化物積層薄膜における結晶磁気異方性とその電界効果の第一原理計算を行い、顕著な電界効果を発現する材料・構造を理論的に探索した。その結果、CoFe/MgO接合においてFe組成の増加に伴い界面磁気異方性が増大することを見出した。また、Fe/MgO界面にPtまたはPd単原子層を挿入することにより磁気異方性の電界依存性を増強できることを提案した。
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