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2010 年度 実績報告書

結晶表面の原子ステップの位置・構造制御と原子・分子修飾

研究課題

研究課題/領域番号 22360015
研究種目

基盤研究(B)

研究機関筑波大学

研究代表者

山部 紀久夫  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 教授 (10272171)

研究分担者 蓮沼 隆  筑波大学, 大学院・数理物質科学研究科, 講師 (90372341)
キーワード単結晶 / 表面 / テラス / 原子ステップ / エッチング / フェンス / 酸化物 / SiO2
研究概要

原子ステップ/テラス構造を持つシリコン(111)表面に、AFMカンチレバーを用いて微細なインデンテーションを印加することにより、その後につづく低溶存酸素水浸漬によって、三角ピットを表面に形成することに成功した。インデンテーションでは、従来、微小押し込み領域で、弾性変形が数10μNで観測されたことが報告されているが、本実験では、数μNでも十分に、インデンテーションの履歴が観測され、弾性変形に留まらず、シリコン単結晶に対して塑性変形をもたらしていることが明らかとなった。つまり、塑性変形のしきい値応力は極めて低いことを物語っている。今後は、さらに、単原子ステップあるいは所定高さのステップ形成等により、制御性を高めていく。
酸化物単結晶の代表として、y-cutクオーツ面を用いたところ、シリコン同様に、ステップ/テラス構造を作成することに成功した。シリコンに比較して構造は複雑になり、らせん状の三回対称となっている。また、形成されたテラス表面は、極めて安定であり、シリコンに比較して外乱に対して強いことがわかった。また、原子ステップ直線性も得られ、ステップ端への外乱によるキンク発生に対する耐性も、シリコンに比較して、十分高いことが明らかとなった。クォーツは、耐薬品性が強いため、シリコンのSiO2フェンスのような機能を発揮させることが困難であるが、インデンテーションを含めて、ステップ制御方法の探索を進めると同時に、シリコン表面の熱酸化膜との差異等に注目していく。

  • 研究成果

    (4件)

すべて 2011 2010

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (2件)

  • [雑誌論文] Generation and Growth of Atomic-scale Roughness at Surface and Interface of Silicon Dioxide Thermally Grown on Atomically Flat Si Surface2011

    • 著者名/発表者名
      Y.Hayashi, R.Hasunuma, K.Yamabe
    • 雑誌名

      Key Engineering Materials

      巻: 470 ページ: 110-116

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Tokuda N, Umezawa H, Yamabe K, Okushi H, Yamasaki S ; Growth of atomically step-free surface on diamond {111} mesas2010

    • 著者名/発表者名
      Tokuda N, Umezawa H, Yamabe K, Okushi H, Yamasaki S
    • 雑誌名

      DIAMOND AND RELATED MATERIALS

      巻: 1 ページ: 288-290

    • 査読あり
  • [学会発表] 極薄SiO2膜のラフネスがMosの信頼性へ与える影響2011

    • 著者名/発表者名
      林優介,染谷満, 蓮沼隆, 山部紀久夫
    • 学会等名
      第16回「ゲートスタック研究会-材料・プロセス・評価の物理-」
    • 発表場所
      東京工業大学
    • 年月日
      20110121-20110122
  • [学会発表] quartz表面における原子ステップ/テラス構造の形成2010

    • 著者名/発表者名
      杉井俊介, 蓮沼隆, 山部紀久夫
    • 学会等名
      第30回表面科学学術講演会
    • 発表場所
      大阪大学コンベンションセンター
    • 年月日
      2010-11-04

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公開日: 2012-07-19  

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