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ナノスケールの電子デバイスでは、原子レベルまで微細な構造を制御する技術が求められる。同時に、種々の不具合の原因を解明したりその抑制技術を開発したりするために、原子レベルの精度で制御された構造を用いて、より感度高く現象を把握することは重要である。
本研究では、主に(111)面方位の単結晶シリコンを低溶存酸素純水に浸漬して、原子ステップと幅広い原子的に平坦な原子テラスを形成した。さらに、ナノテクノロジーとして原子ステップの位置制御性を検討した。また、原子テラスの究極の平坦面を利用して、その表面に熱酸化法によって形成されるシリコン酸化膜の原子レベルの膜厚均一性などに伴う現象を明らかにした。
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