| 研究課題/領域番号 |
22360020
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 電気通信大学 |
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研究代表者 |
中村 淳 電気通信大学, 大学院・情報理工学研究科, 教授 (50277836)
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| 研究分担者 |
大竹 晃浩 物質材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (30267398)
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| 研究期間 (年度) |
2010 – 2012
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| キーワード | III-V族化合物半導体表面 / 初期吸着構造 / 第一原理計算 / 電子回折法 / 強磁性 |
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| 研究概要 |
原子レベル結晶成長技術と精緻な第一原理電子状態計算を駆使し、GaAs表面におけるMnの成長素過程を詳細に明らかにした。最表面に吸着したMn原子は、As-rich条件下においては表面第二層のGa原子位置を優先的に置換し、表面のAsが少ない条件では格子間位置に組み込まれることが明らかとなった。希薄磁性半導体薄膜を実現するためには、Gaを優先的に置換する必要があり、本研究により、その必要条件が示された。
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