研究課題
本年度は昨年度に引き続き、ウェファボンディング技術を用いて製作したBIB検出素子について、その詳細な特性評価を行った。ウェファボンディング時の表面活性化パラメータ、及びボンディング後の熱アニール条件を変化させることにより、ボンディング界面に見られるアモルファス層の厚みが変化する事を我々は既に確認している。このパラメータを変えた複数種類のサンプルについて、 宇宙環境での観測利用を想定した極低温・低背景光入射環境に於ける暗電流の温度依存性、暗電流及び光電流の素子電場依存性、光応答の時間応答特性等の詳細評価を行った。その結果、暗電流及び光電流の温度及び素子電場依存性について、貼り合わせた二種のウェファ特性から予想される依存性と矛盾しない事を確認した。又各素子について良好な光応答特性を確認すると共に、特に時間応答特性について、製作条件に対する依存性を明らかにした。一方長波長への伸展が期待される波長感度特性、及び二次元素子に於ける素子間クロストークについては評価未完了となった。これらについては早急に評価を完了すべく現在評価試験中である。以上の測定から得られた製作条件について、直径3インチ程度までのウェファボンディングが問題無く行え、貼り合わせ面の全面に於いて良好なボンディング特性を得られる事を確認した。以上により、これまで製造が困難であったGe半導体を用いた遠赤外線BIB型検出器について、工業的に安価で大量生産可能な方式による製作実現性を確認出来たと言える。
24年度が最終年度であるため、記入しない。
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ECS Transactions, Semiconductor Wafer Bonding 12: Science, Technology, and Applications
巻: 50(7) ページ: 351-362
10.1149/05007.0351ecst
