研究課題
基盤研究(B)
次世代耐高温SiCパワーデバイスの高信頼性実装技術を確立するために、新たにAgナノ接合の信頼性を評価するための試験方法と評価方法を確立した。さらに実装構造の信頼性評価を行うために実使用環境におけるモジュールの劣化などを含めたシミュレーション技術を確立した。これらの方法を用いて、次世代パワーデバイスの実用的かつ汎用的な評価方法を確立した。
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Journal of Solid Mechanics and Materials Engineering
巻: Vo1.4 ページ: 24-28
Journal of Electronic Packaging(ASME JEP)
巻: 132