研究課題
基盤研究(B)
本研究では新規材料として、電流駆動磁壁移動の閾値電流密度が従来の材料の 100 分 1 である TbFeCo 非晶質垂直磁化膜を提案するとともに、新たなスピントルクを利用した情報ストレージデバイスの基盤技術を開発することを目的としている。具体的には、薄膜組成、磁気異方性、膜厚と臨界駆動電流密度、磁壁の移動速度そしてスピン分極率の関係を明らかにした。これによって次世代の小型大容量・高密度・低消費電力の不揮発性の情報ストレージデバイスの開発のための基礎技術を確立した。
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