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2012 年度 実績報告書

金属/微小空隙/半導体構造アレイによる生体の電荷・準位分布分析デバイスの研究

研究課題

研究課題/領域番号 22360125
研究機関大阪大学

研究代表者

森田 瑞穂  大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (50157905)

研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2014-03-31
キーワードシリコン / シリコン酸化膜 / 微小空隙 / 電荷分析 / センシングデバイス
研究概要

金/微小空隙/シリコン酸化膜/シリコン構造センシングデバイスの静電容量‐電圧特性を測定することにより、デオキシリボ核酸のハイブリダイゼーションを電気的に検出した。センシング表面は、シリコンウェハを微細加工後、微小空隙に面するシリコン酸化膜表面にアミノシラン自己組織化単分子膜を付着させ、プローブとなるデオキシリボ核酸を固定化することにより形成した。デバイスは、プローブとなるデオキシリボ核酸を固定化したシリコンウェハと金薄膜を形成した石英基板をシリコン酸化膜スペーサを介して貼り合わせることにより製作した。微小空隙にターゲットとなるデオキシリボ核酸緩衝溶液を導入してハイブリダイゼーション後、微小空隙を純水で洗浄して純水中のデオキシリボ核酸の負電荷に起因する容量‐電圧特性の変化を観測した。ハイブリダイゼーションは、シリコン酸化膜の不安定性の原因となるナトリウムイオンやカリウムイオンを含まない緩衝液を用いて行った。プローブと相補的なターゲットデオキシリボ核酸を導入すると、洗浄後でもセンシング表面の負電荷量が増加することを実証した。センシング表面での負電荷増加量から、ハイブリダイゼーションしたデオキシリボ核酸数を明らかにした。金/微小空隙/シリコン酸化膜/シリコン構造センシングデバイスは、構造が単純であり、製作工程数を少なくできる意義がある。緩衝溶液中でのハイブリダイゼーションは、緩衝液のデバイ長が短いためハイブリダイゼーション効率を向上でき、純水中での電気的検出は、純水のデバイ長が長いため塩基数の多いデオキシリボ核酸のハイブリダイゼーションを検出できる意義がある。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

研究計画における生体の高感度センシングの実証、生体適合センシング表面の開発、金属/微小空隙/シリコン構造アレイの製作についておおむね順調に進展している。生体の高感度センシングの実証においては、ハイブリダイゼーションは緩衝溶液中で行い、純水中で電気的に検出することにより、デオキシリボ核酸のハイブリダイゼーションを高感度でセンシングできることを実証した。生体適合センシング表面の開発においては、シリコン酸化膜がセンシング表面として安定に機能する緩衝液を明らかにした。純水によるアミノシラン自己組織化単分子膜付着シリコン酸化膜の緩衝液洗浄効果を容量-電圧特性を測定することにより明らかにした。金属/微小空隙/シリコン構造アレイの製作においては、シリコンウェハと石英基板をスペーサ絶縁膜を介して安定に貼り合わせる方法を開発した。

今後の研究の推進方策

研究を研究計画通りに遂行する。生体の高感度センシングの実証を継続して推進する。特に、デオキシリボ核酸のハイブリダイゼーションを高感度でセンシングできることを実証する。生体適合センシング表面の開発を継続する。特に、デオキシリボ核酸ハイブリダイゼーションに適した溶液とセンシング表面との反応性を明らかにする。アレイデバイスによる生体センシングの実証を行う。ライン状シリコン領域形成シリコン・オン・インシュレータウェハとライン状金属薄膜形成石英基板をスペーサ絶縁膜を介して貼り合わせ、アレイデバイスを製作する。微小空隙にデオキシリボ核酸溶液を導入し、二次元分布をセンシングできることを実証する。

  • 研究成果

    (5件)

すべて 2012

すべて 学会発表 (5件)

  • [学会発表] Non-FET electrochemical DNA detection using metal-gap-oxide-silicon structures2012

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Kawai, Yuichi Doi, Takashi Furukawa, Junichi Uchikoshi, Kenta Arima, and Mizuho Morita
    • 学会等名
      Abstract, PACIFIC RIM MEETING ON ELECTROCHEMICAL AND SOLID-STATE SCIENCE
    • 発表場所
      Honolulu, USA
    • 年月日
      20121009-20121009
  • [学会発表] Metal-gap-oxide-silicon sensor for electrochemical DNA detection by flat band voltage shift2012

    • 著者名/発表者名
      Kentaro Kawai, Takuya Juro, Yuichi Doi, Takashi Furukawa, Junichi Uchikoshi, Kenta Arima, and Mizuho Morita
    • 学会等名
      Abstracts, 38th International Conference on Micro and Nano Engineering
    • 発表場所
      Toulouse, France
    • 年月日
      20120917-20120917
  • [学会発表] Nanogap electrochemical DNA sensor using flat band voltage shift2012

    • 著者名/発表者名
      Takuya Juro, Kentaro Kawai, Yuichi Doi, Takashi Furukawa, Junichi Uchikoshi, Kenta Arima, and Mizuho Morita
    • 学会等名
      PROGRAM AND ABSTRACTS, 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2012-11-11
  • [学会発表] Label-Free Detection of DNA Using Metal-Gap-Metal-Insulator-Semiconductor Devices2012

    • 著者名/発表者名
      Takashi Furukawa, Yasunori Nakamukai, Yuichi Doi, Kentaro Kawai, Junichi Uchikoshi, Kenta Arima and Mizuho Morita
    • 学会等名
      Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2012-10-23
  • [学会発表] Label-Free Detection of DNA Hybridization Using Metal-Gap-Oxide-Silicon Structures2012

    • 著者名/発表者名
      Yuichi Doi, Sonoko Nishiue, Takashi Furukawa, Kentaro Kawai, Junichi Uchikoshi, Kenta Arima and Mizuho Morita
    • 学会等名
      Extended Abstracts of Fifth International Symposium on Atomically Controlled Fabrication Technology
    • 発表場所
      Osaka
    • 年月日
      2012-10-23

URL: 

公開日: 2014-07-24  

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