| 研究概要 |
いくつかの半導体ではイオン注入すると,表面にナノスケールのセル状構造が形成される。本研究では,この驚くべき現象を応用した新しいナノ技術の確立を目的した。そしてInSb、GaSb,Geでナノセル形成を詳細に試みた。InSbの場合、室温におけるイオン照射では100nm間隔のセル格子は二次ボイドの形成もなくほぼ完全に成長する。しかし、低温では逆に規則性が不十分となった。GaSbでは、逆に室温では二次ボイドが発生し、ナノセル形成には低温が有利であることがわかった。そして、充填ナノセルの作製が試みられている。いくつかの半導体ではイオン注入すると,表面にナノスケールのセル状構造が形成される。本研究では,この驚くべき現象を応用した新しいナノ技術の確立を目的した。そしてInSb、GaSb,Geでナノセル形成を詳細に試みた。InSbの場合、室温におけるイオン照射では100nm間隔のセル格子は二次ボイドの形成もなくほぼ完全に成長する。しかし、低温では逆に規則性が不十分となった。GaSbでは、逆に室温では二次ボイドが発生し、ナノセル形成には低温が有利であることがわかった。そして、充填ナノセルの作製が試みられている。
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