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2011 年度 実績報告書

非発光再結合検出による多接合型太陽電池の熱エネルギー損失断面プロファイル測定

研究課題

研究課題/領域番号 22360412
研究機関宮崎大学

研究代表者

福山 敦彦  宮崎大学, 工学部, 准教授 (10264368)

キーワード多接合太陽電池 / 熱エネルギー損失測定 / 圧電素子光熱変換分光法 / 非発光再結合
研究概要

本研究では、光熱変換法の信号発生原理を応用し、サンプル内に発生した熱の拡散長を制御することで、多接合構造太陽電池の変換効率低下の原因となる熱エネルギー損失、つまりキャリアの再結合損失の深さ方向断面プロファイルを測定する新たな評価手法を開発することである。この結果得られる知見を太陽電池作製プロセスへフィードバックさせて、現行の三接合構造太陽電池の更なる変換効率向上を行う。更には四接合あるいは五接合構造といった次世代の高効率多接合構造太陽電池実現のための重要な非破壊評価術として同手法を確立させる事が本研究の要旨である。
本年度は、昨年度構築した一定光量および一定フォトン数照射型の圧電素子光熱変換分光装置(CP-PPT)のSIN比向上および妥当性検証実験が目的であった。SIN比向上対策としては試料に照射される光量の調整や前段プリアンプの設置等で対処した。
構築したCP-PPTを、次世代多接合太陽電池として期待されている、量子井戸構造型太陽電池材料に適用した。同太陽電池材料では、多接合化による電流ミスマッチを解消するために光吸収層に量子井戸構造を挿入したものである。CP-PPT信号は量子井戸層での非発光再結合によるキャリア損失を反映していることから、その温度変化を測定することにより、量子井戸層からのキャリア脱出および発光・非発光再結合キャリア損失の活性化エネルギーを算出した。得られた活性化エネルギーはバンドプロファイルから見積もられた値より小さく、量子井戸層でのキャリア輸送においてトンネリング等の過程を考慮すべきであることを実験的に初めて明確にした。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

当初の目的であった、太陽電池吸収層でのキャリア再結合損失を検出できる新たな評価技術であることは実証できつつあるが、多接合太陽電池構造の深さ方向プロファイル測定のためには、検出光断続周波数の広範囲での変化が必要である。しかしながら現在の測定プログラムではその数値を任意に変化させることが出来ないため、測定プログラムの改訂作業を進めている。

今後の研究の推進方策

測定システムの改良と測定データの検証を引き続き実施する。前者は検出光断続周波数変化が可能な測定プログラムの改良であり、これによって多接合構造材料の深さ方向プロファイル測定が可能となる。もう一つの測定データの検証は、太陽電池での非発光再結合キャリア損失を実際に測定出来ているかどうかを、発光再結合および再結合せずに表面へ到達するキャリアをそれぞれ検出するP上およびSPV信号を同一材料で取得し、比較・検討をおこなう。

  • 研究成果

    (22件)

すべて 2012 2011 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (18件) 備考 (2件)

  • [雑誌論文] Shallow Carrier Trap Levels in GaAsN Investigated by Photoluminescence2011

    • 著者名/発表者名
      M.Inagaki, H.Suzuki, A.Suzuki, K.Mutaguchi, A.Fukuyama, N.Kojima, Y.Ohshita, M.Yamagichi
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 ページ: 04DP14-1-4

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Determination of exciton binding energy of GaInNAs quantum well structures by piezoelectric photothermal spectroscopy compared with photoreflectance measurements2011

    • 著者名/発表者名
      K.Kashima, A.Fukuyama, K.Sakai, H.Yokoyama, M.Kondow, T.Ikari
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 50 ページ: 06GH09-1-4

    • 査読あり
  • [学会発表] 圧電素子光熱変換分光法によるInGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池のキャリア再結合損失過程の積層数依存性2012

    • 著者名/発表者名
      中野陽介, 相原健人, 藤井宏昌, 福山敦彦, 杉山正和, 中野義昭, 碇哲雄
    • 学会等名
      第59回春季応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大(東京都新宿区)
    • 年月日
      20120315-20120318
  • [学会発表] X線トポグラフィ法を用いたInGaAs/GaAs(001)界面におけるミスフィット転位分布観察2012

    • 著者名/発表者名
      片山真弘、鈴木秀俊、松下卓哉、正木宏和、前田幸治、山本奨、福山敦彦、碇哲雄、佐々木拓生、大下祥雄
    • 学会等名
      第59回春季応用物理学関係連合講演会
    • 発表場所
      早稲田大(東京都新宿区)
    • 年月日
      20120315-20120318
  • [学会発表] X線トポグラフィによるInGaAs/GaAs(001)ヘテロエピタキシャル膜でのミスフィット転位の観察2011

    • 著者名/発表者名
      松山慎弥、片山真弘、鈴木秀俊、山本奨、福山敦彦、尾関雅志、碇哲雄
    • 学会等名
      平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      鹿児島大学工学部(鹿児島市)
    • 年月日
      20111126-20111127
  • [学会発表] InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池におけるキャリア再結合損失過程の積層数依存性2011

    • 著者名/発表者名
      中野陽介、相原健人、藤井宏昌、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄
    • 学会等名
      平成23年度応用物理学会九州支部学術講演会
    • 発表場所
      鹿児島大学工学部(鹿児島市)
    • 年月日
      20111126-20111127
  • [学会発表] Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP multiple quantum wells for solar cell application2011

    • 著者名/発表者名
      T.Aihara, Y.Nakano, A.Fukuyama, Y.Wang, M.Sugiyama, Y.Nakano, T.Ikari
    • 学会等名
      2011 International Conference on Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      20110928-20110930
  • [学会発表] Nitrogen related deep levels in GaAsN films investigated by a temperature variation of piezoelectric photothermal signal amplitude2011

    • 著者名/発表者名
      K.Kashima, S.Yamamoto, Y.Nakano, K.Sakai, H.Suzuki, M.Inagaki, M.Yamaguchi, A.Fukuyama, T.Ikari
    • 学会等名
      14th International Conference on Defects - Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • 年月日
      20110925-20110929
  • [学会発表] Distribution of misfit dislocations at the interface of InGaAs/GaAs(001) observed by monochromatic X-ray topography2011

    • 著者名/発表者名
      H.Suzuki, T.Sasaki, S.Yamamoto, Y.Ohshita, A.Fukuyama, M.Yamaguchi
    • 学会等名
      14th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors
    • 発表場所
      Miyazaki, Japan
    • 年月日
      20110925-20110929
  • [学会発表] 非発光再結合過程検出による太陽電池半導体結晶の光学的特性評価2011

    • 著者名/発表者名
      福山敦彦、碇哲雄
    • 学会等名
      第21回格子欠陥フォーラム
    • 発表場所
      立山国際ホテル(富山県富山市)(招待講演)
    • 年月日
      20110919-20110920
  • [学会発表] InGaAs/GaAsP歪み補償超格子セルによるキャリア輸送の効率化2011

    • 著者名/発表者名
      王云鵬、文瑜、相原健人、福山敦彦、碇哲雄、杉山正和、中野義昭
    • 学会等名
      平成23年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス(山形県山形市)
    • 年月日
      20110829-20110902
  • [学会発表] InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層でのキャリア再結合損失評価2011

    • 著者名/発表者名
      相原健人、福山敦彦、王云鵬、杉山正和、中野義昭、碇哲雄
    • 学会等名
      平成23年秋季第72回応用物理学会学術講演会
    • 発表場所
      山形大学小白川キャンパス(山形県山形市)
    • 年月日
      20110829-20110902
  • [学会発表] Investigation of the photovoltaic performance of the polycrystalline silicon p-n junction by a photothermal measurement2011

    • 著者名/発表者名
      A.Fukuyama, D.Ishibashi, Y.Sato, T.Yasui,゛K.Sakai, H.Suzuki, K.Nishioka, T.Ikari
    • 学会等名
      24th International Conference on Amorphous and Nano-Crystallie Semiconductors
    • 発表場所
      Nara, Japan
    • 年月日
      20110821-20110826
  • [学会発表] N組成変化がGaAsN薄膜のバンド端構造に与える影響2011

    • 著者名/発表者名
      山本奨、鈴木章生、鹿島康史郎、稲垣充、鈴木秀俊、福山敦彦、山口真史、碇哲雄
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ(岐阜市)
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] InGaAs/GaAsP歪補償量子井戸太陽電池吸収層での非発光再結合評価2011

    • 著者名/発表者名
      相原健人、中野陽介、王云鵬、福山敦彦、杉山正和、中野義昭、碇哲雄
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ(岐阜市)
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] 圧電素子光熱変換信号の温度変化解析によるGaAsN中深い欠陥準位の評価2011

    • 著者名/発表者名
      中野陽介、鹿島康史郎、山本奨、境健太郎、鈴木秀俊、福山敦彦、B.Boussairi、稲垣充、山口真史、碇哲雄
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ(岐阜市)
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] PPT法による多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究2011

    • 著者名/発表者名
      佐藤洋平、石橋大輔、安井貴俊、境健太郎、西岡賢祐、福山敦彦、碇哲雄
    • 学会等名
      第8回「次世代の太陽光発電システム」シンポジウム
    • 発表場所
      じゅうろくプラザ(岐阜市)
    • 年月日
      20110630-20110701
  • [学会発表] Non-radiative carrier recombination in the strain-balanced InGaAs/GaAsP Multiple quantum wells for solar cell application by using a piezoelectric photothermal method2011

    • 著者名/発表者名
      Taketo Aihara, Atsuhiko Fukuyama, Yunpeng Wang, Masakazu Sugiyama, Yoshiaki Nakano, Testuo Ikari
    • 学会等名
      第30回電子材料シンポジウム
    • 発表場所
      ラフォーレ琵琶湖(滋賀県)
    • 年月日
      20110629-20110701
  • [学会発表] Investigation of deep trap centers by a temperature variation of the signal amplitude in the piezoelectric photothermal spectra2011

    • 著者名/発表者名
      K.Kashima, S.Yamamoto, Y.Nakano, K.Sakai, H.Suzuki, M.Inagaki, M.Yamaguchi, A.Fukuyama, T.Ikari
    • 学会等名
      The European Materials Research Society Spring Meeting 2011
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      20110509-20110513
  • [学会発表] Effect of N composition on temperature dependence of band gap energies of Ga AsN thin films grown by Chemical Beam Epitaxy2011

    • 著者名/発表者名
      S.Yamamoto, K.Kashima, A.Suzuki, H.Suzuki, A.Fukuyama, M.Inagaki, M.Yamaguchi, T.Ikari
    • 学会等名
      The European Materials Research Society Spring Meeting 2011
    • 発表場所
      Nice, France
    • 年月日
      20110509-20110513
  • [備考]

    • URL

      http://www.cc.miyazaki-u.ac.jp/fukuyamalabo/

  • [備考]

    • URL

      http://www.cc.miyazaki-u.ac.jp/mdeee03/pemhome.html

URL: 

公開日: 2013-06-26  

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