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胚中心(GC)において抗原に高い親和性をもつB細胞が選択されて記憶B細胞や長期生存プラズマ(LLP)細胞に分化する機構を解明するために、CD40LとBAFFを発現する繊維芽細胞(40LB)をフィーダーとし、ナイーブB細胞からクラススイッチしたGC様(induced GC : iG)B細胞を著しく増殖させる培養系を作成した。最初にIL-4で増殖するiGB細胞(iGB-4)はinvivoで記憶様B(iMB)細胞に分化し、次にIL-21でさらに増殖したiGB-21細胞はin vivoでLLP細胞となった。さらに、iGB-21細胞を続けてサイトカイン無添加で培養した細胞(iGB-m)はiMB細胞への分化能を回復した。この系を用いて胚中心において高親和性B細胞が選択される機構、また、記憶B細胞の分化および維持に必要な因子を同定することを目標として研究を行っている。まず、ある時点で胚中心に存在する抗体より親和性の高いBCRを有するB細胞だけがFasシグナル耐性となり選択されるという仮説を証明するために、FasLを発現し、モデル抗原NP-CGGを提示する40LB細胞(40LB-FL-FcYR)を作製した。その上でNP特異的ノックインマウス由来のiGB-21細胞が選択・濃縮される系を確立した。同様に、膜型鶏卵白リゾチーム(mHEL)を細胞表面に発現する40LB-FL-mHEL細胞を作製し、HEL特異的iGB細胞を選択する系も作成した。また、iGB-21細胞に発現せず、iGB-4・iGB-m細胞およびiMB細胞や生理的記憶B細胞に発現する膜蛋白質gp49やその他の遺伝子を見出した。gp49B欠損マウスの免疫応答を解析したところ、記憶B細胞の比率が増加しており、また、T非依存性抗原に対する抗体産生も亢進していた。この結果の意味を理解するために、さらに解析を進めている。
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