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抗原に反応したB細胞が増殖して胚中心を形成し、その中で体細胞突然変異により多様化した中から抗原に高親和性のB細胞が選択されて記憶B細胞や長期生存プラズマ（LP）細胞に分化する。この過程をin vitroで研究するために誘導性胚中心B（iGB）細胞培養系を用いた。この系ではB細胞をIL-4と共に1次培養すると記憶B細胞の、その後IL-21と共に2次培養するとLP細胞のそれぞれ前駆細胞となる。
1．胚中心における高親和性B細胞の選択機構の解明：Fasによる細胞死が胚中心B細胞の親和性選択の基盤と考え、抗原およびFasLを細胞表面に発現するフィーダー細胞上で抗原特異的iGB細胞を選択する系を確立した。この系に抗原特異的抗体を加えたが選択されたiGB細胞の抗原親和性に影響はなかった。また、抗体産生に必須の転写因子Blimp1をB細胞でのみ欠失するマウスの免疫応答においてB細胞の親和性成熟に異常は見られなかった。よって、胚中心B細胞の親和性成熟には抗体は必須では無いことが分かった。
2. 記憶B細胞への分化を誘導する因子の同定：１次培養後のiGB細胞と記憶B細胞に選択的に発現する遺伝子を複数同定し、それらを導入したiGB細胞をマウスに移入し、記憶B細胞への分化能を調べた結果、記憶B細胞分化誘導因子の候補が得られた。現在、それらのノックアウトマウスにおける記憶B細胞形成について解析中である。
3. 記憶B細胞の維持と応答に必要なシグナルの解明：１次培養後のiGB細胞と記憶B細胞に選択的に発現する膜受容体を選択した。現在、これらのノックアウトマウスをT細胞依存性抗原で免疫し、記憶B細胞の形成・維持について解析している。そのうち、gp49Bについては、記憶B細胞の抗体産生細胞への分化を負に制御していることが明らかとなった。
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