バンドギャップが異なるn型半導体酸化物(TiO_2:3.0 eV 、SnO_2:3.7 eV)をp型半導体カーボンナノチューブ(CNT)に内包させた時に、酸化物のバンドギャップが酸化物内包CNTのp-n接合の形成に寄与することが、1 ppm NO_2に対する電気抵抗変化によって明らかにされた。他方、走査トンネル分光法によって、空気中と真空中で得られたI-V曲線をバイアス電圧(V)で微分した微分コンダクタンス(dI/dV)の評価では、SnO_2をCNT外壁に分散担持させたSnO_2担持CNTとCNT単独において見積もられたバンドギャップからp-n接合形成の証拠を得た。
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