電子系のコヒーレンス制御による大振幅コヒーレントフォノンの生成

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22540334
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 物性Ⅰ
• 研究機関: 上智大学
• 研究代表者: 欅田 英之 上智大学, 理工学部, 助教 (50296886)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• キーワード: コヒーレントフォノン / 光物性

研究概要

本研究では、 格子の非調和効果のみによるコヒーレントフォノンのソフト化をめざす。まず、パルス列で励起を行うと、多光子吸収を抑制しつつ、大きな振幅を持つコヒーレントフォノンを作成できることを明らかにした。このことは、パルス整形技術によって、試料の電子系を低温に保ちつつフォノンのソフト化への可能性を示唆している。さらに、二準位電子系とみなせる CdSe 量子ドットで、初めてコヒーレントフォノンの観測に成功した。

研究成果

• [雑誌論文] ワイドギャップ半導体におけるコヒーレントフォノンの観測 (2011)
  • 著者名/発表者名: 欅田英之
  • 雑誌名: 表面科学 巻: 32巻 ページ: 761-766
  • DOI: DOI:10.1380/jsssj.32.761
• [学会発表] 光触媒二酸化チタンの光励起キャリアダイナミクス (2012)
  • 著者名/発表者名: 欅田英之
  • 学会等名: 第5回超高速光エレクトロニクス研究会
  • 発表場所: 箱根
  • 年月日: 2012-12-08
• [学会発表] 半導体 ZnO におけるコヒーレントフォノンの大振幅化 II (2012)
  • 著者名/発表者名: 橋本一弘,関根寛,相澤隆之,江馬一弘,欅田英之
  • 学会等名: 日本物理学会
  • 発表場所: 関西学院大学
  • 年月日: 2012-03-24
• [学会発表] CdSe 量子ドットにおけるコヒーレントフォノン (2012)
  • 著者名/発表者名: 相澤隆之,橋本一弘,関根寛,江馬一弘,欅田英之
  • 学会等名: 日本物理学会
  • 発表場所: 関西学院大学
  • 年月日: 2012-03-24
• [学会発表] Multi-pulse Excitation of CoherentPhonon in ZnO (2011)
  • 著者名/発表者名: Hashimoto, K. Ema and H. Kunugita
  • 学会等名: Chemical Physics & Physical Chemistry
  • 発表場所: 英国
  • 年月日: 2011-12-15
• [学会発表] 半導体ZnO におけるコヒーレントフォノンの大振幅化 (2011)
  • 著者名/発表者名: 橋本一弘,江馬一弘,欅田英之
  • 学会等名: 日本物理学会
  • 発表場所: 富山大学
  • 年月日: 2011-09-21
• [学会発表] ワイドギャップ半導体 CdS におけるコヒーレントフォノンの振る舞い (2010)
  • 著者名/発表者名: 橋本 一弘,欅田 英之, 江馬 一弘
  • 学会等名: 日本物理学会
  • 発表場所: 大阪府立大
  • 年月日: 2010-09-25