研究課題
基盤研究(C)
幾何学的にフラストレートした格子上のさまざまな伝導電子模型・電荷秩序模型を取り上げ、 フラストレーションと電荷自由度・伝導現象・電子状態との関連などについて調べた。その結果、量子臨界点、BKT転移などを経て特異な電荷秩序相・部分無秩序状態が形成されることを見いだした。これらを通じて、スピンの自由度だけでは現れない特異な状態が電荷の自由度を介して現れるという、電荷フラストレートを伴う電子系における新しい知見を得た。
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