研究課題
基盤研究(C)
スパッタリングとポストアニールを駆使し、安価な材料hematite(α-Fe_2O_3)をN ドープによってp 型半導体とすることに成功した。N はFe_2O¥3 結晶中のO サイトを置換しアクセプターとして機能していることが強く示唆された。またアニオンN とともにカチオンZn をドープすることにより、N- Fe_2O_3 やZn- Fe_2O_3 よりも高い水溶液中光電流値を示すp 型半導体N,Zn- Fe2O3 の合成にも成功した。
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Appl. Phys. Express
巻: 6 ページ: 041201
Applied Physics Letters
巻: 98 ページ: 242108-1