研究概要 |
高密度Er(1.6×1022/cm3)を含むエルビウムシリケート(Er2SiO5)は、シリコンフォトニクスにおける光源,光増幅器の材料として有望であるが,Er間のエネルギー移動が非発光遷移の要因となり,Erの1.53μm発光遷移の効率を制限している。本研究ではErxY2-xSiO5結晶を用いてEr間距離(Er密度x)を変え,エネルギー移動による非発光遷移の要因,大きさを評価した。x~0.1(Er密度~1×1021/cm3)でエネルギー移動による非発光がほぼ無くなった。長さ500μmの光導波路を作製し,30dB/cmの光利得を得た。
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