マイクロ波プラズマ励起種を用いた選択加熱技術の開発

2012 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 22560007
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 補助金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 応用物性・結晶工学
• 研究機関: 山梨大学
• 研究代表者: 中川 清和 山梨大学, 大学院・医学工学総合研究部, 教授 (40324181)
• 研究分担者: 山中 淳二 山梨大学, 学工学総合研究部, 准教授 (20293441) ; 佐藤 哲也 山梨大学, 学工学総合研究部, 准教授 (60252011)
• 研究期間 (年度): 2010 – 2012
• キーワード: 半導体 / 固相成長 / プラズマ加熱 / 選択加熱 / 薄膜トランジスタ

研究概要

マイクロ波励起水素プラズマ中の水素原子を用いてGeや遷移金属の選択急速加熱を可能とする技術開発を行った。 ガラス基板上に堆積した非晶質Geを60秒程度の水素原子照射で結晶化が確認できた。 また、 水素原子による直接加熱が不可能なSiの場合は非晶質Siの一部にタングステンを堆積し、熱源として面内横方向の固相成長により多結晶膜を形成し、電界効果トランジスタを作製して実効移動度40 cm2/Vsを実現した。

研究成果

• [学会発表] 水素ラジカルによる遷移金属の選択加熱現象を利用した多結晶 Si形成技術とデバイスへの応用 (2013)
  • 著者名/発表者名: 中家大希、 荒井哲司、 大平隆裕、 有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、高松利行、澤野憲太郎、白木靖寛
  • 学会等名: 第60回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 神奈川工科大学
  • 年月日: 2013-03-27
• [学会発表] 高密度プラズマ形成技術とそのデバイス応用 (2012)
  • 著者名/発表者名: 荒井哲司、池田礼隆、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、高松利行、中川清和
  • 学会等名: 第73回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 愛媛大学
  • 年月日: 2012-09-13
• [学会発表] 水素ラジカルによる選択過熱現象を利用した Si1-xGex 薄膜形成技術 (2012)
  • 著者名/発表者名: 荒井哲司、川口裕樹、中村浩之、有元圭介、山中淳二、佐藤哲也、中川清和、高松利行、澤野憲太郎、星裕介、白木靖寛
  • 学会等名: 第59回応用物理学関係連合講演会
  • 発表場所: 早稲田大学
  • 年月日: 2012-03-16
• [学会発表] Selective Heating Method forPoly-crystallization of Amorphous Si UsingHydrogen Microwave Plasma (2011)
  • 著者名/発表者名: T. Arai, H. Nakamura, S. Ariizumi, A.Ashizawa, T. Takamatsu, K. Arimoto, J.Yamanaka, T. Sato, K. Nakagawa, K. Sawano,Y. Shiraki
  • 学会等名: The 5th AsianConference on Crystal Growth and CrystalTechnology
  • 発表場所: Singapore
  • 年月日: 2011-06-28
• [備考]
  • URL: http://www.inorg.yamanashi.ac.jp/ccst/laboratories/nakagawa-lab/index.htm