研究課題
基盤研究(C)
Zr をケミカルドーピングした有機金属原料溶液を用いた有機金属塗布法(MOD 法)により数 nmサイズの絶縁性ナノ粒子を含む Gd 系超伝導薄膜の形成に成功した。このナノ粒子ドープ超伝導薄膜は磁場中で高い臨界電流密度特性を示した。また、MOD 法により約 3nm の絶縁性ナノアイランドを形成した表面装飾基板上に、MOD 法により形成した超伝導薄膜は、臨界電流密度 100万 A/cm~2以上を示し、印加磁場 1T 以上で臨界電流密度が向上することを明らかにした。
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