| 研究課題/領域番号 |
22560012
|
|---|
| 研究機関 | 金沢工業大学 |
|---|
研究代表者 |
上田 修 金沢工業大学, 工学研究科, 教授 (50418076)
|
|---|
| 研究分担者 |
山口 敦史 金沢工業大学, ものづくり研究所, 教授 (60449428)
佐久間 芳樹 独立行政法人物質・材料研究機構, 量子ドットセンター, 主幹研究員 (60354346)
|
|---|
| キーワード | 発光デバイス / 量子ドット / 長寿命化 / 結晶成長 / 電子顕微鏡 / 劣化 / 格子欠陥 |
|---|
| 研究概要 |
平成22年度は、本研究の目的に沿って下記の2項目の検討を行った。
(1) 化合物半導体薄膜材料の照射劣化の研究
光照射による劣化を系統的に研究する第一段階として、次世代長波長発光デバイス用のGaInNAs/GaAs系材料の光照射劣化について光照射の基礎調査を行った。GaInNAsは、as-grownでも点欠陥や転位ループが発生し易いとされている。今年度は、GaAs/GaInNAs/(001)GaAsについて、発振波長1.0μmの半導体レーザを光源として、10kW/cm^2の光出力密度で10分照射した。照射前後の断面TEM像を観察した結果、照射後に、活性層中に直径5-10nmの比較的強い点状コントラストが現れてしいる。現時点では、これらが点欠陥の集合体であることは断定できないが、今後、照射強度をより高くして詳細に調べていく。
(2) 化合物半導体材料への光照射・劣化部評価装置の改良
(1)の研究と並行して、すでに立ちあがっている長波長発光デバイス用InGaAlAs/InP系材料の光照射装置に加えて、InGaN/GaN系などの窒素化物半導体材料への光照射・劣化部評価が可能となるように、装置の改良を行った。具体的には、325nmの紫外レーザ光を、試料上に2ミクロン程度のサイズのスポットで照射するために、深紫外用対物レンズを購入し、深紫外領域に対応した光学系を構築した。また、光照射した領域の劣化の状況を同じ測定系で光学評価するために、すでに保有しているチタンサファイアレーザピコ秒パルス励起PL時間分解測定系と合体させ、同一顕微鏡下で光照射と光劣化評価を行えるシステムを構築した。これにより、23年度からの窒化物半導体材料の光照射実験の準備が整った。
|
