• 研究課題をさがす
  • 研究者をさがす
  • KAKENの使い方
  1. 課題ページに戻る

2012 年度 実績報告書

ナノスケールで制御された界面構造を利用した新たな電子物性の探索

研究課題

研究課題/領域番号 22560019
研究機関お茶の水女子大学

研究代表者

小林 功佳  お茶の水女子大学, 大学院人間文化創成科学研究科, 教授 (80221969)

研究期間 (年度) 2010-04-01 – 2014-03-31
キーワードトポロジカル絶縁体 / 表面界面電子物性 / 計算物理 / スピントロニクス / ナノ構造 / 第一原理計算 / 輸送特性
研究概要

本年度はトポロジカル絶縁体と金属との界面に関する理論的研究を行った。トポロジカル絶縁体はバンドギャップ中にスピン分極した表面状態が存在する絶縁体である。金属からトポロジカル絶縁体に電子を注入するとスピンホール効果が生じ、スピン分極した電流がトポロジカル絶縁体表面を流れる。本研究では、トポロジカル絶縁体としてBi2Te3、金属としてBiを考え、BiからBi2Te3に電子を注入した際にBi2Te3表面を流れるスピン分極した電流の空間分布の様子を理論的に調べた。金属として半金属であるBiを選んだ理由は、Bi2Te3とBiの(111)面の格子定数の値は近く、格子整合性が良いので、電子の界面での散乱が比較的小さく、BiからBi2Te3へと電流を注入しやすいと考えられるからである。実際、Bi2Te3基板上にBi薄膜を成長させてその電子状態を調べる実験的研究がすでに報告されており、このような系は現実に存在する。計算は、Bi2Te3およびBiの電子状態を表すためにタイト・バインディング模型を用い、量子力学における弾性散乱計算により電子の透過率および波動関数を求めた。スピンの分極度を知るために、散乱状態の波動関数のスピン期待値の空間分布を計算した。その結果、Bi2Te3の表面付近に局在して電流が流れ、その電流のスピン分極度は比較的大きいことがわかった。この計算結果より、現実のBi2Te3とBiの系においてもスピン分極した電流を得られることが期待される。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

2: おおむね順調に進展している

理由

本研究課題に沿った研究成果があり、学術雑誌に掲載され、学会・国際会議等で発表されていること。

今後の研究の推進方策

研究の進展はおおむね順調であり、今後も引き続き現在の研究方法を維持してさらに発展を図る。

  • 研究成果

    (8件)

すべて 2013 2012

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (6件)

  • [雑誌論文] Controlling the topology of Fermi surfaces in metal nanofilms2012

    • 著者名/発表者名
      M. Ogawa et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: 109 ページ: 026802-1,-4

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.109.026802

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Atomic and electronic structure of ultrathin Bi(111) films grown on Bi2Te3(111)2012

    • 著者名/発表者名
      Hirahara et al.
    • 雑誌名

      Physical Review Letters

      巻: 109 ページ: 227401-1,-5

    • DOI

      10.1103/PhysRevLett.109.227401

    • 査読あり
  • [学会発表] Bi2Te3基板上の1BL-Biのエッジ状態2013

    • 著者名/発表者名
      小林功佳
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      広島
    • 年月日
      20130326-20130329
  • [学会発表] Atomistic calculation of electron injection into the surface states of Bi2Te3 from Bi2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayashi
    • 学会等名
      The 20th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy
    • 発表場所
      那覇
    • 年月日
      20121217-20121219
  • [学会発表] BiからBi2Te3表面状態への電子注入の原子スケールでの計算2012

    • 著者名/発表者名
      小林功佳
    • 学会等名
      日本表面科学会
    • 発表場所
      仙台
    • 年月日
      20121120-20121122
  • [学会発表] Transmission properties of electrons in topological surface states through atomic steps of Sb surfaces2012

    • 著者名/発表者名
      K. Kobayashi
    • 学会等名
      The 10th Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces
    • 発表場所
      東京
    • 年月日
      20120926-20120928
  • [学会発表] Bi-Bi2Te3界面の電子透過の計算2012

    • 著者名/発表者名
      小林功佳
    • 学会等名
      日本物理学会
    • 発表場所
      横浜
    • 年月日
      20120918-20120921
  • [学会発表] Electron transmission through atomic steps of Sb surfaces2012

    • 著者名/発表者名
      Katsuyoshi Kobayashi
    • 学会等名
      The 29th European Conference on Surface Science
    • 発表場所
      Edinburgh
    • 年月日
      20120903-07

URL: 

公開日: 2014-07-24  

サービス概要 検索マニュアル よくある質問 お知らせ 利用規程 科研費による研究の帰属

Powered by NII kakenhi