研究課題
基盤研究(C)
電子ビーム照射による絶縁物表面の帯電電位の測定を行うことができる静電気力顕微鏡システムを完成した。高分子の絶縁体薄膜が導電基板上に形成されているフォトマスク試料に電子ビームを照射したときに得られる絶縁体薄膜表面の電位分布は加速電圧やビーム電流によって大きく変化することが示された。一方、試料内・外での電子散乱のシミュレーションを開発し試料表面の電位分布の実験結果を説明できる結果を得た。
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Journal of Vacuum Science and Technology
巻: B 29(6) ページ: 06F316-1-06F316-6
DOI:10.1116/1.3662079
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