| 研究概要 |
本研究では,0.5mmの切欠き穴を開けた厚さ100μmの純銅膜材を疲労させ,すべり発生挙動を観察した.さらに,局所結晶方位差と方位差軸をEBSD(電子線後方散乱回折)法によって得られた結晶方位行列から算出した.その結果,銅膜材のほぼすべての結晶粒で,疲労に伴って局所結晶方位差が増加した.すべり線が発生した結晶粒では,疲労試験によって方位差軸が同じ方向に傾いた.一方,静的負荷では方位差軸が分散した方向に変わった.方位差軸成分の変化から,方位差軸は負荷方向に対する直交方向および膜材に直面する方向に向かって傾く.その後,軸は負荷方向に傾いてすべり線が発生した.
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